
【化】 magnetic bubble-domain material; magnetic bubble-domain materials
【计】 magnetic bubble
【化】 magnetic bubble
【化】 domain
data; datum; ******s; material; stuff
【医】 data; datum; material; stock
【经】 material; materials; spoilage
磁泡畴材料(Magnetic Bubble Domain Materials)是磁性存储技术中的关键功能材料,其核心特征为通过外磁场控制形成可移动的圆柱形磁畴结构。根据《材料科学技术百科全书》定义,磁泡畴指在垂直磁化薄膜中形成的局部磁化反转区域,直径通常在1-100微米范围。
该材料的工作机制基于磁各向异性效应:当垂直于薄膜表面施加偏置磁场时,反向磁化区域收缩为稳定柱状结构,其存在状态(维持或消失)构成二进制存储基础。美国物理联合会(AIP)期刊研究指出,典型磁泡畴材料需具备特定特性组合,包括较高的垂直磁晶各向异性常数(K_u ≥ 1×10 erg/cm³)和适中的饱和磁化强度(M_s ≈ 100-500 emu/cm³)。
应用领域主要涵盖:
中国材料研究学会在《功能材料进展》报告中强调,钇铁石榴石(YIG)和铋取代稀土铁石榴石仍是当前主要研究对象,其畴壁迁移率可达100 m/s量级。英国皇家化学会(RSC)最新研究则指出,铁磁/反铁磁异质结体系可产生亚微米级磁泡,为高密度存储提供新路径。
磁泡畴材料是一种特殊的磁性薄膜材料,其核心特性是在特定外加磁场作用下,表面会形成圆柱状磁畴结构,因形似气泡而得名。以下是详细解释:
磁泡畴材料需满足以下条件:
磁泡畴材料的研究曾推动磁性存储技术的发展,但随着半导体存储器的进步,其实际应用逐渐减少,但在磁畴物理研究和特殊传感器领域仍有价值。如需进一步了解材料参数或制备工艺,可参考专业文献。
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