月沙工具箱
现在位置:月沙工具箱 > 学习工具 > 汉英词典

二次发射极英文解释翻译、二次发射极的近义词、反义词、例句

英语翻译:

【电】 dynode; electron mirror

分词翻译:

二的英语翻译:

twin; two
【计】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【医】 bi-; bis-; di-; duo-

次的英语翻译:

order; second; second-rate
【医】 deutero-; deuto-; hyp-; hypo-; meta-; sub-

发射极的英语翻译:

【计】 emitter
【化】 emitter

专业解析

二次发射极(Secondary Emitter) 指在电子器件中,当受到高能电子(一次电子)轰击时,能够发射出额外电子(二次电子)的特殊电极表面。这种现象称为二次电子发射(Secondary Electron Emission, SEE),是真空电子器件和某些探测器中的关键物理过程。

核心特性与原理

  1. 工作机理

    一次电子撞击发射极材料表面,将其能量传递给材料内部的束缚电子。当传递能量足以克服材料功函数时,电子逸出表面形成二次电子流。二次电子数量与一次电子能量、入射角度及材料性质密切相关。

    来源:IEEE《电子器件术语标准》(IEEE Standard for Terms and Definitions for Vacuum Electron Devices)

  2. 二次电子发射系数(δ)

    定义为单位一次电子撞击产生的二次电子平均数,公式为:

    $$ delta = frac{I_s}{I_p} $$

    其中 $I_s$ 为二次电子电流,$I_p$ 为一次电子电流。δ值通常介于0.5–2.0,具体取决于材料(如氧化镁δ可达10)及一次电子能量(存在峰值能量区间)。

    来源:H. Bruining《电子发射物理学》(Physics and Applications of Secondary Electron Emission)

  3. 材料选择

    高δ材料包括碱金属氧化物(如Cs₃O)、银镁合金(AgMg)、铜铍合金(CuBe)及半导体涂层。现代器件常采用微通道板(MCP)结构,通过内壁二次发射实现电子倍增。

    来源:滨松光电《光电倍增管原理手册》(Photomultiplier Tubes: Basics and Applications)

典型应用场景

注:部分引用来源因平台限制未提供直接链接,建议通过学术数据库(如IEEE Xplore、SpringerLink)检索文献标题获取原文。

网络扩展解释

“二次发射极”(Dynode)是电子器件中的一种特殊电极,主要用于实现电子流的倍增。以下是详细解释:

1.定义与结构

二次发射极是电子管(如光电倍增管)中的中间电极,其表面涂有高二次发射系数的材料(如金属氧化物)。当高速电子撞击其表面时,会激发出更多次级电子,形成电子倍增效应。

2.工作原理

3.应用场景

4.与普通发射极的区别

普通晶体管中的发射极(Emitter)是向基区注入载流子的电极,属于半导体器件部件;而二次发射极专用于真空电子管,通过物理撞击实现电子倍增,两者原理和应用场景不同。


如需进一步了解技术参数或具体器件设计,可参考电子工程领域的专业文献或教材。

分类

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

别人正在浏览...

安置脉冲报废尺寸界限倍半氯化物耻骨联合碘代苯电子工业协会接口短指二氰合金酸钠范德瓦耳斯力风湿疹扶壁共价键键能供应合同光生伏打效应固定长度记录海上冒险业黑箱环路测量均匀分散的可见图象处理机可学习性漏水的农村政策权组织平均分子任性扫帚黄素十六烷腈输出格式说明表特别文件微型计算机特性