
【电】 dynode; electron mirror
twin; two
【计】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【医】 bi-; bis-; di-; duo-
order; second; second-rate
【医】 deutero-; deuto-; hyp-; hypo-; meta-; sub-
【计】 emitter
【化】 emitter
二次发射极(Secondary Emitter) 指在电子器件中,当受到高能电子(一次电子)轰击时,能够发射出额外电子(二次电子)的特殊电极表面。这种现象称为二次电子发射(Secondary Electron Emission, SEE),是真空电子器件和某些探测器中的关键物理过程。
工作机理
一次电子撞击发射极材料表面,将其能量传递给材料内部的束缚电子。当传递能量足以克服材料功函数时,电子逸出表面形成二次电子流。二次电子数量与一次电子能量、入射角度及材料性质密切相关。
来源:IEEE《电子器件术语标准》(IEEE Standard for Terms and Definitions for Vacuum Electron Devices)
二次电子发射系数(δ)
定义为单位一次电子撞击产生的二次电子平均数,公式为:
$$ delta = frac{I_s}{I_p} $$
其中 $I_s$ 为二次电子电流,$I_p$ 为一次电子电流。δ值通常介于0.5–2.0,具体取决于材料(如氧化镁δ可达10)及一次电子能量(存在峰值能量区间)。
来源:H. Bruining《电子发射物理学》(Physics and Applications of Secondary Electron Emission)
材料选择
高δ材料包括碱金属氧化物(如Cs₃O)、银镁合金(AgMg)、铜铍合金(CuBe)及半导体涂层。现代器件常采用微通道板(MCP)结构,通过内壁二次发射实现电子倍增。
来源:滨松光电《光电倍增管原理手册》(Photomultiplier Tubes: Basics and Applications)
注:部分引用来源因平台限制未提供直接链接,建议通过学术数据库(如IEEE Xplore、SpringerLink)检索文献标题获取原文。
“二次发射极”(Dynode)是电子器件中的一种特殊电极,主要用于实现电子流的倍增。以下是详细解释:
二次发射极是电子管(如光电倍增管)中的中间电极,其表面涂有高二次发射系数的材料(如金属氧化物)。当高速电子撞击其表面时,会激发出更多次级电子,形成电子倍增效应。
普通晶体管中的发射极(Emitter)是向基区注入载流子的电极,属于半导体器件部件;而二次发射极专用于真空电子管,通过物理撞击实现电子倍增,两者原理和应用场景不同。
如需进一步了解技术参数或具体器件设计,可参考电子工程领域的专业文献或教材。
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