二次發射極英文解釋翻譯、二次發射極的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 dynode; electron mirror

分詞翻譯：

二的英語翻譯：

twin; two
【計】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【醫】 bi-; bis-; di-; duo-

次的英語翻譯：

order; second; second-rate
【醫】 deutero-; deuto-; hyp-; hypo-; meta-; sub-

發射極的英語翻譯：

【計】 emitter
【化】 emitter

專業解析

二次發射極（Secondary Emitter）指在電子器件中，當受到高能電子（一次電子）轟擊時，能夠發射出額外電子（二次電子）的特殊電極表面。這種現象稱為二次電子發射（Secondary Electron Emission, SEE），是真空電子器件和某些探測器中的關鍵物理過程。

核心特性與原理

工作機理
一次電子撞擊發射極材料表面，将其能量傳遞給材料内部的束縛電子。當傳遞能量足以克服材料功函數時，電子逸出表面形成二次電子流。二次電子數量與一次電子能量、入射角度及材料性質密切相關。

來源：IEEE《電子器件術語标準》（IEEE Standard for Terms and Definitions for Vacuum Electron Devices）
二次電子發射系數（δ）
定義為單位一次電子撞擊産生的二次電子平均數，公式為：

$$ delta = frac{I_s}{I_p} $$

其中 $I_s$ 為二次電子電流，$I_p$ 為一次電子電流。δ值通常介于0.5–2.0，具體取決于材料（如氧化鎂δ可達10）及一次電子能量（存在峰值能量區間）。

來源：H. Bruining《電子發射物理學》（Physics and Applications of Secondary Electron Emission）
材料選擇
高δ材料包括堿金屬氧化物（如Cs₃O）、銀鎂合金（AgMg）、銅铍合金（CuBe）及半導體塗層。現代器件常采用微通道闆（MCP）結構，通過内壁二次發射實現電子倍增。

來源：濱松光電《光電倍增管原理手冊》（Photomultiplier Tubes: Basics and Applications）

典型應用場景

光電倍增管（PMT）：二次發射極作為倍增極（Dynode），通過多級二次發射将微弱光電流放大 $10$–$10$ 倍。
電子倍增器（EM）：用于質譜儀、粒子探測器，替代傳統電極實現低噪聲信號放大。
行波管（TWT）：抑制收集極二次發射可減少能量反饋，提升射頻效率。

注：部分引用來源因平台限制未提供直接鍊接，建議通過學術數據庫（如IEEE Xplore、SpringerLink）檢索文獻标題獲取原文。

網絡擴展解釋

“二次發射極”（Dynode）是電子器件中的一種特殊電極，主要用于實現電子流的倍增。以下是詳細解釋：

1.定義與結構

二次發射極是電子管（如光電倍增管）中的中間電極，其表面塗有高二次發射系數的材料（如金屬氧化物）。當高速電子撞擊其表面時，會激發出更多次級電子，形成電子倍增效應。

2.工作原理

一次電子撞擊：來自陰極或其他電極的初始電子（一次電子）以高能量撞擊二次發射極表面。
次級電子釋放：撞擊導緻材料表面釋放出多個次級電子（二次發射），通常每個一次電子可産生2-5個次級電子。
級聯放大：多個二次發射極串聯排列，逐級放大電子流，最終輸出顯著增強的電流。

3.應用場景

光電倍增管：用于檢測微弱光信號，如天文觀測、輻射探測等領域。
電子倍增器：在質譜儀等儀器中放大離子或電子信號。

4.與普通發射極的區别

普通晶體管中的發射極（Emitter）是向基區注入載流子的電極，屬于半導體器件部件；而二次發射極專用于真空電子管，通過物理撞擊實現電子倍增，兩者原理和應用場景不同。

如需進一步了解技術參數或具體器件設計，可參考電子工程領域的專業文獻或教材。