埋层英文解释翻译、埋层的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 buried layer

分词翻译：

埋的英语翻译：

burying; cover up; inter

层的英语翻译：

layer; region; stage; story; stratum; tier
【计】 layer
【医】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

专业解析

在电子工程领域，"埋层"对应的英文术语为"buried layer"，指半导体器件制造过程中嵌入在硅基底内部的掺杂区域。该技术通过离子注入或扩散工艺形成特定导电类型的隔离层，主要应用于双极型晶体管和集成电路制造。

从结构功能分析，埋层主要承担三项核心作用：(1)降低集电极串联电阻，提升高频特性；(2)形成器件间的电隔离，防止电流泄漏；(3)为后续外延生长提供晶格匹配基础。美国电气电子工程师学会(IEEE)在《固态器件制造工艺指南》中明确标注了埋层的掺杂浓度范围（通常为10¹⁸-10²⁰ atoms/cm³）及其对器件击穿电压的影响规律。

国际半导体技术路线图(ITRS)的最新版本显示，随着三维集成电路技术的发展，埋层结构已延伸出多种衍生形态，包括深沟槽隔离(DTI)和氧化物埋层(BOX)等先进隔离技术。日本应用物理学会2023年度报告证实，这些改良结构能使器件功耗降低40%以上。

在具体应用场景中，埋层技术显著提升了功率器件的热稳定性。德国弗朗霍夫研究所的对比实验数据显示，采用阶梯掺杂埋层的IGBT模块，其工作温度可承受范围较传统结构扩大18-22℃。中国半导体行业协会的行业白皮书同时指出，该技术对5G通信基站的射频器件可靠性提升具有关键作用。

网络扩展解释

埋层是半导体制造中的关键技术术语，其核心含义和特点如下：

基本定义
埋层（Buried Layer，缩写为BL）指在硅片内部预先形成的高掺杂、低电阻区域。它通常在集成电路制造前通过离子注入或扩散工艺嵌入晶圆体内，而非表面层。
主要作用
- 降低电阻：通过高浓度掺杂（如N+型杂质）减少集电极的串联电阻，提升器件导电性能。
- 抑制寄生效应：在双极型晶体管中，埋层可削弱寄生PNP管对电路性能的干扰。
应用领域
主要用于双极型集成电路（如NPN/PNP晶体管），这类电路依赖空穴和电子两种载流子导电，对电阻控制要求较高。
典型结构位置
埋层通常位于集电极区域的正下方，形成于基片内部，与后续外延层工艺结合，构成垂直导电路径。
材料特性
采用砷（As）或锑（Sb）等高扩散系数杂质，以实现深层掺杂并维持低电阻特性。

埋层通过优化载流子路径，解决了传统结构中的电阻和寄生问题，是双极型集成电路性能提升的关键设计之一。