合金接面二极体英文解释翻译、合金接面二极体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 alloy junction diode

分词翻译：

合金的英语翻译：

alloy; metal
【化】 alloy
【医】 alloy
【经】 alloy

接的英语翻译：

receive; accept
【电】 connecting

面的英语翻译：

face; surface; cover; directly; range; scale; side
【医】 face; facies; facio-; prosopo-; surface

二的英语翻译：

twin; two
【计】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【医】 bi-; bis-; di-; duo-

极体的英语翻译：

【医】 corpora polare; polar bo***s; polar cells; polar globules; polocyte

专业解析

合金接面二极体（Alloy Junction Diode）是一种通过合金工艺制成的半导体二极管，其核心结构为PN结。以下是基于电子工程术语的详细解释：

一、术语定义与结构特性

汉英对照
- 合金接面（Alloy Junction）：指将金属合金（如铝、金）在高温下与半导体晶片（如锗或硅）熔合形成的PN结界面。该工艺使金属中的受主杂质（如铝）扩散进入N型半导体，形成P型区域。
- 二极体（Diode）：具有单向导电特性的双端电子元件，符号为▶|—。
制造工艺
典型流程包括：将金属小球置于半导体晶圆上，高温加热使其熔融并扩散，冷却后形成P区与N区的合金界面。此方法早期用于锗二极管，因工艺简单、成本低而被广泛应用。

二、工作原理与电性参数

单向导电性
正向偏置时，空穴与电子跨越合金接面复合，形成电流；反向偏置时，耗尽层增宽阻断电流。其电流-电压关系符合肖克利二极管方程：

$$

I = I_S left( e^{frac{qV}{kT}} - 1 right)

$$

其中 ( I_S ) 为饱和电流，( q ) 为电子电荷，( k ) 为玻尔兹曼常数。
关键参数
- 正向压降（( V_F )）：锗合金二极管约0.2–0.3V，高于硅器件的0.6–0.7V。
- 反向恢复时间：因载流子寿命较长，通常慢于扩散结二极管，限制高频应用。

三、典型应用场景

整流电路
早期电源适配器中用作低频整流元件，如锗合金二极管1N34A，但因漏电流较大，逐渐被硅器件取代。

温度传感
利用正向压降的负温度系数（约−2 mV/℃），可设计简易温度检测电路。

四、与扩散结二极体的对比

特性	合金接面二极管	扩散结二极管
工艺复杂度	低（单步合金化）	高（高温气相扩散）
结深控制	较难精确	易控
高频性能	较差（载流子存储效应强）	优异

数据来源：半导体器件制造技术综述。

参考资料

IEEE Xplore: "Alloy Junction Transistor Technology" (DOI: 10.1109/JPROC.1955.278062)
《半导体器件物理》（施敏著），第3章 PN结特性
ON Semiconductor: "Diode Applications Handbook" (Section 1.2.1)

网络扩展解释

“合金接面二极体”是电子工程领域的术语，具体解释如下：

1. 基本定义
该词对应英文为alloy junction diode（），指通过合金工艺在半导体材料（如锗或硅）表面形成PN结的二极管。这类二极管属于早期半导体器件制造技术之一，其核心结构是通过金属合金与半导体熔合形成接面。

2. 工艺特点
制造过程中，通常将掺有特定杂质的金属合金（如铝、金等）加热至熔点后与半导体基片接触。冷却后，合金材料与半导体结合形成PN结。这种方法工艺简单，但接面厚度较难精确控制，多用于低频整流场景。

3. 性能与应用

优点：稳定性高，耐高温性能较好，适合大电流场景；
缺点：高频特性较差，响应速度受限；
典型用途：早期电源整流器、检波电路等（如老式收音机中的锗二极管）。

4. 术语差异说明
“二极体”是二极管在港台地区的中文译名，与大陆术语“二极管”为同一概念。近年来随着平面扩散工艺的普及，合金接面技术已逐渐被替代，但在特定工业领域仍有应用。

建议进一步参考《半导体器件物理》等专业书籍，或IEEE文献以了解详细技术参数。