可刷新存储器英文解释翻译、可刷新存储器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 refreshable memory

分词翻译：

可的英语翻译：

approve; but; can; may; need; yet

刷新的英语翻译：

break; refurbish; renovate; renovation
【计】 refresh

存储器的英语翻译：

storage; store
【计】 M; memorizer; S

专业解析

可刷新存储器（Refreshable Memory）在电子工程领域指需要周期性电荷补充以维持数据完整性的动态存储设备，其英文对应术语为"Dynamic Random-Access Memory"（DRAM。该技术基于电容电荷存储原理，因电容存在自然放电现象，需通过刷新电路每64毫秒重新写入数据一次。

主要特征包含：

动态存储机制：利用电容器存储电荷表示二进制数据，相较于静态存储器（SRAM）具有更高存储密度
时序控制要求：依赖精确的刷新时序控制器，典型刷新周期为2ms至8ms
能效比优势：在相同工艺下，单位比特功耗比SRAM低40-60%

应用领域涵盖计算机主内存、图形处理单元显存及嵌入式系统，现代DDR5内存模块已实现高达6.4Gbps的数据传输速率。国际电子工业联盟（JEDEC）制定的JESD79-5标准详细规范了其电气特性和刷新时序要求。

（参考资料：维基百科DRAM条目、IEEE固态电路期刊第54卷第8期、美光科技2023年技术白皮书）

网络扩展解释

可刷新存储器是指需要定期刷新以维持数据完整性的存储设备，主要应用于动态随机存取存储器（DRAM）领域。以下是具体解释：

基本定义
可刷新存储器通过周期性电信号重写数据，避免因电荷泄漏导致信息丢失。其核心特点是依赖刷新操作维持存储状态，与静态存储器（SRAM）的稳定存储特性形成对比。
技术原理
- 以DRAM为例，每个存储单元由电容和晶体管构成，电容电荷决定数据状态（0/1）。
- 由于电容会自然放电，需在毫秒级间隔内通过刷新电路对电荷补充，防止数据丢失。
刷新机制
- 自动刷新：由内存控制器定时触发，通常在64ms内完成全部存储单元的循环刷新。
- 自刷新：低功耗模式下，DRAM芯片自主完成刷新，常见于移动设备。
应用场景
主要用于计算机主内存，因其高密度、低成本的优势，尽管刷新操作会带来约5%的性能损耗。
相关概念对比
| 类型 | 刷新需求 | 速度 | 功耗 | 用途 |
|---|---|---|---|---|
| DRAM（可刷新） | 需要 | 较慢 | 较高 | 主内存 |
| SRAM | 不需要 | 快 | 低 | 缓存 |
| ROM | 不需要 | 中等 | 低 | 固件存储 |

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