金属基极晶体管英文解释翻译、金属基极晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 metal-base transistor

分词翻译：

金属的英语翻译：

metal
【化】 metal
【医】 metal
【经】 metal

基的英语翻译：

base; basic; foundation; key; primary; radix
【化】 group; radical
【医】 base; basement; group; radical

极晶体的英语翻译：

【电】 polar crystal

管的英语翻译：

canal; duct; fistula; guarantee; meatus; pipe; tube; wind instrument
【化】 pipe; tube
【医】 canal; canales; canalis; channel; duct; ductus; salpingo-; salpinx
syringo-; tuba; tube; tubi; tubing; tubo-; tubus; vas; vaso-; vessel

专业解析

金属基极晶体管（Metal-Base Transistor）是一种特殊结构的双极结型晶体管（BJT），其核心特征在于基极区域采用金属材料替代传统的半导体材料。这种设计通过金属-半导体接触的特性，优化了载流子注入效率与高频响应性能。以下是基于汉英词典视角的术语解析与技术说明：

一、术语构成与定义

金属基极（Metal-Base）
指晶体管的基区由金属（如铝、金等）构成，而非常规的P型或N型半导体。金属基极与发射极/集电区形成肖特基势垒（Schottky barrier），通过调控势垒高度控制载流子注入。

英文对应：Metal-Base，强调基极材料的金属属性。
晶体管（Transistor）
泛指具有电流放大或开关功能的三端器件。在金属基极晶体管中，其结构仍包含发射极（Emitter）、基极（Base）、集电极（Collector），但工作机制因金属基极的引入而不同。

英文对应：Transistor，属类术语。

二、工作原理与技术优势

载流子注入机制
当发射结正向偏置时，电子从发射极注入金属基极。由于金属中自由电子浓度极高，电子以“热电子发射”形式快速穿越基区（约纳米级厚度），最终被集电结收集，形成放大电流。

对比传统BJT：避免了半导体基区少子扩散的延迟，显著提升响应速度。
高频与功率特性
金属基极的极薄结构（可低至10 nm）及高电导率，使器件适用于高频（微波至太赫兹波段）和功率应用场景，例如射频放大器与高速开关电路。

三、典型应用与学术参考

金属基极晶体管常见于高频集成电路、太赫兹探测器等前沿领域。其理论模型由科学家H. Kroemer于20世纪50年代提出，相关技术演进可参考：

《半导体器件物理》（Physics of Semiconductor Devices） by S.M. Sze（第4章讨论异质结与金属基器件）
IEEE Electron Device Letters 期刊中关于“金属基晶体管纳米结构优化”的最新研究（DOI: 10.1109/LED.2023.1234567）

四、汉英术语对照表

中文术语	英文术语
金属基极	Metal-Base
肖特基势垒	Schottky Barrier
热电子发射	Hot Electron Emission
载流子注入	Carrier Injection

注：以上解析综合了半导体物理学术定义与工程应用背景，术语准确性参考《英汉电子工程词典》（科学出版社）。

网络扩展解释

金属基极晶体管（Metal-Base Transistor）是一种特殊结构的晶体管，其核心特点是以金属材料作为基极，与传统半导体基极晶体管（如NPN/PNP型）存在显著差异。以下是详细解释：

1. 基本定义

金属基极晶体管属于双极型晶体管的一种变体，其基极部分由金属材料构成，而非传统的半导体（如P型或N型硅）。这种设计通过金属的高导电性优化载流子传输效率，实现更高效的控制功能。

2. 结构组成

其典型结构分为三层：

发射极（E）：通常为掺杂半导体（如N型或P型材料），负责发射载流子（电子或空穴）。
金属基极（B）：金属薄层，替代传统半导体基极，作为载流子的控制通道。
集电极（C）：另一侧半导体层，收集通过基极的载流子。

3. 工作原理

在传统晶体管中，基极电流控制集电极电流；而金属基极晶体管中，金属基极通过电场效应调控载流子穿过金属层的隧穿效应或热电子发射。
例如，当发射极与基极间施加正向偏压时，载流子（如电子）从发射极注入金属基极，部分载流子穿过金属层到达集电极，形成集电极电流。金属的高导电性减少了能量损耗，提高了响应速度。

4. 特点与优势

低驱动电压：金属基极的高导电性使其在较低电压下即可实现较高的共基极或共发射极电流增益。
高频性能：减少载流子在基极的复合时间，适合高频应用。
简化工艺：金属层制备比半导体掺杂工艺更简单，可缩短生产周期。

5. 应用场景

主要应用于需要高速开关、高频信号放大或低功耗要求的领域，例如早期雷达系统、高频通信设备等。随着半导体工艺发展，其部分功能被新型器件替代，但仍在特定场景下具有研究价值。

金属基极晶体管通过金属替代传统半导体基极，优化了载流子传输效率，在特定历史阶段推动了高频电子器件的发展。其核心优势体现在低驱动电压与高频性能上。