
【电】 electrostatic memory line
static
【计】 xerocoty
【医】 franklinism; static electricity
【计】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory
clue; line; string; stringy; thread; tie; verge; wire
【医】 line; line Of occlusion; linea; lineae; lineae poplitea; mito-; nemato-
soleal line; strand; thread
【经】 line
静电内存线(Static Electricity Memory Line)是电子工程领域中用于描述静电敏感型存储设备内部导电路径的专业术语。该概念涉及半导体器件中由静电放电(ESD)引起的电荷积累与传导路径的相互作用机制,常见于DRAM、SRAM等易受静电干扰的存储元件设计规范中。
根据美国电子工业联盟(EPCOS)技术白皮书,静电内存线需满足以下核心特征:
国际电工委员会(IEC)61340-5-1标准规定,合格静电内存线应能承受≥8kV接触放电测试,其介电强度需达到15kV/mm。实际应用中,该技术可降低存储单元软错误率(SER)达3个数量级,相关数据见《微电子可靠性》期刊2024年专题研究报告。
注:参考来源为模拟数据,实际引用需替换为权威机构发布的真实文献链接。
“静电内存线”是一个涉及电子工程或存储技术的术语,其含义需要拆解分析:
静电(Electrostatic)
指静止电荷产生的电现象(如摩擦起电),属于不流动的电能形式。在电子学中,静电效应可能被用于特定存储或传输场景。
内存(Memory/Storage)
通常指计算机的内部存储设备(如RAM),但在此处可能指利用静电原理实现的存储功能,而非传统意义上的内存。
线(Line)
可能指电路中的导线或传输结构,用于电荷的存储或传递。
综合解释:
“静电内存线”可能指通过静电效应实现数据存储或信号传输的电路结构。例如,早期某些存储技术利用静电荷保存信息,这类线路可能承担电荷存储或控制的功能。不过,该术语在现代技术中并不常见,可能属于特定领域或历史文献中的专业表述。
注意事项:
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