场效应英文解释翻译、场效应的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 field effect

分词翻译：

场的英语翻译：

field; a level open space; scene
【化】 field
【医】 field; plant

效应的英语翻译：

effect
【医】 effect

专业解析

场效应（Field Effect）是电子工程与半导体物理中的核心概念，指通过电场控制半导体材料中载流子（电子或空穴）的分布与导电能力，从而调控电流的现象。其核心原理在于利用外加电压形成的电场，改变半导体内部导电沟道的状态。以下是详细解释：

一、基础定义与机制

电场调控导电性
场效应通过施加垂直于电流方向的电场（栅极电压），在半导体表面形成耗尽层或反型层，改变源极与漏极之间的导电沟道宽度。例如，在N沟道器件中，正栅压吸引电子形成导电沟道，负栅压则排斥电子形成耗尽区。
载流子类型区分
- N沟道：电场吸引电子形成电流（多数载流子为电子）
- P沟道：电场吸引空穴形成电流（多数载流子为空穴）
  此特性源于半导体材料的掺杂类型（如硅中的磷或硼）。

二、物理机制（以MOSFET为例）

能带弯曲效应
栅极电压改变半导体表面能带结构。强正栅压使能带向下弯曲，导带接近费米能级，电子浓度升高形成反型层（导电沟道）。公式表示为： $$ Q{inv} = C{ox} cdot (VG - V{th}) $$ 其中 $Q{inv}$ 为反型层电荷密度，$C{ox}$ 是氧化层电容，$V_{th}$ 为阈值电压。
阈值电压（$V_{th}$）
开启导电沟道所需的最小栅压，由氧化层厚度、掺杂浓度和材料功函数共同决定： $$ V{th} = Phi{ms} + 2Phi_F + frac{sqrt{4qvarepsilon_s N_A PhiF}}{C{ox}} $$ $Phi_F$ 为费米势，$N_A$ 是受主浓度。

三、典型应用场景

场效应晶体管（FET）
MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应管）利用绝缘栅极电场控制漏源电流，是现代集成电路的基础元件，具有高输入阻抗、低功耗特性。
传感器与探测器
电场对半导体表面态的调制可用于气体传感器（如吸附气体分子改变表面电势）和辐射探测器（载流子被辐射激发）。

权威参考来源：

《英汉电子工程词典》（科学出版社）对"场效应"的术语定义

Neamen, D. A. Semiconductor Physics and Devices（半导体物理与器件）第4版，第6章场效应理论

Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices（半导体器件物理）中MOS结构分析

国际电气电子工程师学会（IEEE）期刊 Electron Device Letters 关于场效应器件模型的研究
注：因无有效可验证链接，此处仅标注文献来源，建议读者通过学术数据库获取原文。

网络扩展解释

场效应是一个多学科概念，主要应用于电子学、化学和物理学领域。以下是其详细解释：

一、基本定义

场效应（Field Effect）指通过电场或电压作用改变材料或系统的物理或化学性质的现象。在电子学中，它表现为通过电场调控电流传输特性；在化学中，则指分子内取代基通过空间静电作用影响反应中心的过程。

二、核心原理

电子学原理
通过外加电场改变材料中的电荷分布和载流子浓度，进而控制电流。例如场效应晶体管（FET）包含源极、漏极和栅极，栅极电压变化会调节源漏极之间的导电通道宽度。公式可简化为： $$ ID = mu C{ox} frac{W}{L} (V{GS} - V{TH}) $$ 其中$ID$为漏极电流，$mu$为载流子迁移率，$V{GS}$为栅源电压，$V_{TH}$为阈值电压。
化学原理
取代基在空间产生静电场，影响分子其他部位的电子云分布。这种作用距离通常超过两个C-C键长，方向与诱导效应相似。

三、应用领域

半导体器件：场效应晶体管（FET）是现代电子技术的核心元件，具有高输入阻抗、低噪声等优势。
有机化学：用于解释分子反应活性差异，如羧酸解离度变化。
物理系统：包括电磁波能量传递、引力场相互作用等宏观效应。

四、与其他效应的区别

与诱导效应（通过σ键传递电子效应）不同，场效应通过空间静电作用实现，二者常同时存在但作用机制不同。

五、扩展阅读

若需了解更多场效应晶体管类型（如MOSFET、JFET）或具体化学案例，中的技术解析。