三层晶体管英文解释翻译、三层晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 three layer transistor

分词翻译：

三层的英语翻译：

【计】 three layer

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

三层晶体管（Three-layer Transistor）在电子工程领域特指双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）。其核心特征在于由三层交替掺杂的半导体材料（通常是硅或锗）构成两个背靠背的PN结，从而形成具有电流放大或开关功能的三端器件。

详细解释：

结构组成 (Structure):
- 三层半导体： BJT包含三个物理区域，按掺杂类型排列：
  - 发射区 (Emitter Region): 通常为高掺杂区域（NPN型为N+，PNP型为P+），负责向基区注入多数载流子（电子或空穴）。
  - 基区 (Base Region): 位于发射区和集电区之间，非常薄且为轻掺杂（NPN型为P，PNP型为N）。其作用是控制从发射区注入的载流子流向集电区。
  - 集电区 (Collector Region): 面积最大，中等掺杂（NPN型为N，PNP型为P），负责收集从基区扩散过来的载流子。
- 两个PN结：这三层结构自然形成了两个PN结：
  - 发射结 (Emitter-Base Junction, EBJ)：位于发射区与基区之间。
  - 集电结 (Collector-Base Junction, CBJ)：位于集电区与基区之间。
- 三个电极：从三个半导体区域分别引出金属电极：
  - 发射极 (Emitter, E)：对应发射区。
  - 基极 (Base, B)：对应基区。
  - 集电极 (Collector, C)：对应集电区。
工作原理 (Operating Principle - 以NPN型为例):
- 放大状态 (Active Mode)：这是BJT用作放大器时的典型工作状态。
  - 发射结正向偏置 (Forward Bias)：在EBJ上施加正向电压（V_BE > 0），降低了势垒。发射区的高浓度电子（多数载流子）大量扩散注入到基区。
  - 基区传输 (Base Transport)：注入基区的电子成为基区的少数载流子。由于基区非常薄且轻掺杂，大部分电子在基区复合掉之前就扩散到达集电结边缘。基极电流 (I_B) 主要用于补充基区因复合而损失的空穴。
  - 集电结反向偏置 (Reverse Bias)：在CBJ上施加较大的反向电压（V_CB > 0），集电结耗尽层较宽，存在强电场。
  - 集电区收集 (Collection)：扩散到集电结边缘的电子被集电结的强电场扫入集电区，形成集电极电流 (I_C) 的主要部分。I_C 远大于 I_B，体现了电流放大作用。放大能力用直流电流增益 β (或 h_FE) 表示：β = I_C / I_B。
- 其他工作状态：
  - 截止状态 (Cutoff Mode)： EBJ和CBJ均反向偏置。几乎没有载流子注入或收集，I_B ≈ 0, I_C ≈ 0。相当于开关断开。
  - 饱和状态 (Saturation Mode)： EBJ和CBJ均正向偏置。集电区收集电子的能力达到极限，I_C 不再随 I_B 显著增大。V_CE 很小（饱和压降），相当于开关闭合。
  - 反向放大状态 (Reverse Active Mode)： EBJ反向偏置，CBJ正向偏置。此时集电区作为发射极，发射区作为集电极。由于结构不对称（发射区高掺杂，集电区低掺杂），这种状态下的电流增益很低，通常避免使用。
类型 (Types):
- NPN型晶体管：结构为N-P-N。发射区为N型，基区为P型，集电区为N型。工作时，电子是主要的载流子（从发射极流向集电极）。
- PNP型晶体管：结构为P-N-P。发射区为P型，基区为N型，集电区为P型。工作时，空穴是主要的载流子（从发射极流向集电极）。
核心功能 (Key Function):
- 电流放大： BJT是一种电流控制型器件。小的基极电流 (I_B) 变化可以控制大的集电极电流 (I_C) 变化（I_C = β * I_B）。
- 开关作用：通过控制基极电流，可以使晶体管在截止（关断）和饱和（导通）状态之间切换，实现电路的通断控制。

参考来源：

Sedra, Adel S., & Smith, Kenneth C. (2016). Microelectronic Circuits (7th ed.). Oxford University Press. (经典微电子学教材，详细阐述BJT物理结构、工作原理、特性曲线及模型)
IEEE Standards Association. IEEE Standard 100: The Authoritative Dictionary of IEEE Standards Terms. (权威标准术语词典，提供电子工程术语的标准化定义)
Encyclopedia Britannica. "Transistor." (权威百科全书条目，概述晶体管历史、类型和基本原理)

网络扩展解释

根据搜索结果中的信息，“三层晶体管”可能是指“三极晶体管”（也称为晶体三极管或晶体管），其核心结构由三个不同掺杂类型的半导体层构成。以下是详细解释：

结构与组成
三极晶体管包含三个电极和对应的半导体层：

发射极（Emitter）：高掺杂浓度，负责发射载流子（电子或空穴）。
基极（Base）：极薄且低掺杂，控制载流子的传输。
集电极（Collector）：面积较大，收集载流子并输出电流。

工作原理
通过调节基极的微小电流，可控制发射极到集电极的大电流，实现信号放大或开关控制。例如，在放大电路中，基极电流的微小变化会引起集电极电流的显著变化。

类型与材料

按极性：NPN型（电子主导）和PNP型（空穴主导）。
按材料：硅（主流）和锗（早期使用）。

应用场景
广泛用于电子设备的放大电路（如音频放大器）、开关电路（如数字逻辑门）及稳压模块中。

若需进一步了解具体参数或制造工艺，可参考电子工程类教材或专业资料。