三層晶體管英文解釋翻譯、三層晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 three layer transistor

分詞翻譯：

三層的英語翻譯：

【計】 three layer

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

三層晶體管（Three-layer Transistor）在電子工程領域特指雙極結型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）。其核心特征在于由三層交替摻雜的半導體材料（通常是矽或鍺）構成兩個背靠背的PN結，從而形成具有電流放大或開關功能的三端器件。

詳細解釋：

結構組成 (Structure):
- 三層半導體： BJT包含三個物理區域，按摻雜類型排列：
  - 發射區 (Emitter Region): 通常為高摻雜區域（NPN型為N+，PNP型為P+），負責向基區注入多數載流子（電子或空穴）。
  - 基區 (Base Region): 位于發射區和集電區之間，非常薄且為輕摻雜（NPN型為P，PNP型為N）。其作用是控制從發射區注入的載流子流向集電區。
  - 集電區 (Collector Region): 面積最大，中等摻雜（NPN型為N，PNP型為P），負責收集從基區擴散過來的載流子。
- 兩個PN結：這三層結構自然形成了兩個PN結：
  - 發射結 (Emitter-Base Junction, EBJ)：位于發射區與基區之間。
  - 集電結 (Collector-Base Junction, CBJ)：位于集電區與基區之間。
- 三個電極：從三個半導體區域分别引出金屬電極：
  - 發射極 (Emitter, E)：對應發射區。
  - 基極 (Base, B)：對應基區。
  - 集電極 (Collector, C)：對應集電區。
工作原理 (Operating Principle - 以NPN型為例):
- 放大狀态 (Active Mode)：這是BJT用作放大器時的典型工作狀态。
  - 發射結正向偏置 (Forward Bias)：在EBJ上施加正向電壓（V_BE > 0），降低了勢壘。發射區的高濃度電子（多數載流子）大量擴散注入到基區。
  - 基區傳輸 (Base Transport)：注入基區的電子成為基區的少數載流子。由于基區非常薄且輕摻雜，大部分電子在基區複合掉之前就擴散到達集電結邊緣。基極電流 (I_B) 主要用于補充基區因複合而損失的空穴。
  - 集電結反向偏置 (Reverse Bias)：在CBJ上施加較大的反向電壓（V_CB > 0），集電結耗盡層較寬，存在強電場。
  - 集電區收集 (Collection)：擴散到集電結邊緣的電子被集電結的強電場掃入集電區，形成集電極電流 (I_C) 的主要部分。I_C 遠大于 I_B，體現了電流放大作用。放大能力用直流電流增益 β (或 h_FE) 表示：β = I_C / I_B。
- 其他工作狀态：
  - 截止狀态 (Cutoff Mode)： EBJ和CBJ均反向偏置。幾乎沒有載流子注入或收集，I_B ≈ 0, I_C ≈ 0。相當于開關斷開。
  - 飽和狀态 (Saturation Mode)： EBJ和CBJ均正向偏置。集電區收集電子的能力達到極限，I_C 不再隨 I_B 顯著增大。V_CE 很小（飽和壓降），相當于開關閉合。
  - 反向放大狀态 (Reverse Active Mode)： EBJ反向偏置，CBJ正向偏置。此時集電區作為發射極，發射區作為集電極。由于結構不對稱（發射區高摻雜，集電區低摻雜），這種狀态下的電流增益很低，通常避免使用。
類型 (Types):
- NPN型晶體管：結構為N-P-N。發射區為N型，基區為P型，集電區為N型。工作時，電子是主要的載流子（從發射極流向集電極）。
- PNP型晶體管：結構為P-N-P。發射區為P型，基區為N型，集電區為P型。工作時，空穴是主要的載流子（從發射極流向集電極）。
核心功能 (Key Function):
- 電流放大： BJT是一種電流控制型器件。小的基極電流 (I_B) 變化可以控制大的集電極電流 (I_C) 變化（I_C = β * I_B）。
- 開關作用：通過控制基極電流，可以使晶體管在截止（關斷）和飽和（導通）狀态之間切換，實現電路的通斷控制。

參考來源：

Sedra, Adel S., & Smith, Kenneth C. (2016). Microelectronic Circuits (7th ed.). Oxford University Press. (經典微電子學教材，詳細闡述BJT物理結構、工作原理、特性曲線及模型)
IEEE Standards Association. IEEE Standard 100: The Authoritative Dictionary of IEEE Standards Terms. (權威标準術語詞典，提供電子工程術語的标準化定義)
Encyclopedia Britannica. "Transistor." (權威百科全書條目，概述晶體管曆史、類型和基本原理)

網絡擴展解釋

根據搜索結果中的信息，“三層晶體管”可能是指“三極晶體管”（也稱為晶體三極管或晶體管），其核心結構由三個不同摻雜類型的半導體層構成。以下是詳細解釋：

結構與組成
三極晶體管包含三個電極和對應的半導體層：

發射極（Emitter）：高摻雜濃度，負責發射載流子（電子或空穴）。
基極（Base）：極薄且低摻雜，控制載流子的傳輸。
集電極（Collector）：面積較大，收集載流子并輸出電流。

工作原理
通過調節基極的微小電流，可控制發射極到集電極的大電流，實現信號放大或開關控制。例如，在放大電路中，基極電流的微小變化會引起集電極電流的顯著變化。

類型與材料

按極性：NPN型（電子主導）和PNP型（空穴主導）。
按材料：矽（主流）和鍺（早期使用）。

應用場景
廣泛用于電子設備的放大電路（如音頻放大器）、開關電路（如數字邏輯門）及穩壓模塊中。

若需進一步了解具體參數或制造工藝，可參考電子工程類教材或專業資料。