
【电】 initial iverse voltage
incept; origination
【计】 start
【医】 impetus; onset
athwart; contradictorily; counter; disobey; go against; inverse
【医】 contra-
【化】 inverse voltage
在电力电子领域,"起始逆反电压"(英文:Threshold Reverse Voltage 或Initial Reverse Voltage)指半导体器件(如二极管、晶闸管)在反向偏置状态下,开始呈现显著反向电流或发生反向击穿现象前的临界电压值。该参数对器件的反向阻断能力和安全运行至关重要。
表示器件从阻断状态转向导通状态的临界点,是反向特性曲线的转折电压。
指施加在器件阳极与阴极之间的反向偏置电压(阳极电位低于阴极)。
起始逆反电压是器件在反向偏置下维持高阻态(仅微小漏电流)的最高电压。超过此值可能导致:
典型应用场景:
在整流电路中,二极管需承受反向电压。若输入电压峰值超过二极管的起始逆反电压(如普通硅二极管约50-1000V),则需选用更高耐压型号或串联器件。
IEC 60747系列标准定义了半导体器件的反向电压测试方法,明确阈值电压的测量条件(如环境温度、测试时长)。
对SiC二极管的研究表明,其起始逆反电压可达kV级,且高温稳定性优于硅器件,适用于高压变流器。
以英飞凌(Infineon)二极管手册为例,"Reverse Voltage"参数直接标注额定值(如1200V),实际设计需留20%裕量。
参数 | 起始逆反电压 | 正向导通电压 |
---|---|---|
偏置方向 | 反向(阳极<阴极) | 正向(阳极>阴极) |
电流特性 | 微小漏电流 → 击穿大电流 | 指数级增长导通电流 |
典型值范围 | 50V–10kV(取决于器件类型) | 0.3V–3V(硅器件约0.7V) |
注:实际设计中需确保工作反向电压峰值始终低于起始逆反电压,并考虑温度降额(如150°C时耐压下降10–20%)。
“起始逆反电压”这一术语在常规电子学术语中并未被广泛使用,但根据其字面含义和搜索结果中关于反向电压的解释,可以推断它可能指以下两种情况之一:
当二极管等半导体器件施加反向电压时,若电压超过某一临界值,器件会突然导通并产生大电流,这种现象称为反向击穿。此时对应的临界电压称为反向击穿电压,可能是“起始逆反电压”所指的阈值。
特点:
某些特殊器件(如可控硅、TVS二极管)在反向电压达到特定值时开始工作。例如:
若具体场景中“起始逆反电压”有特殊定义,建议结合器件手册或应用背景进一步确认。
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