肖特基二极管
Microwave nW power sensor USES low barrier schottky diode (LBSD) as a component for testing the power of microwave signals.
本文介绍了使用低势垒肖特基二极管(LBSD)作为检测微波信号功率元件的微波毫微瓦功率传感器。
MP2109 Each converter integrates a main switch and a synchronous rectifier for high efficiency without an external Schottky diode.
每一路变换器都集成了一个主开关管和同步整流管以提高效率，无需外部肖特基二极管。
Also, the added schottky diode can be easily realized by schottky contact in the drain of the NMOSFET, which does not add chip area.
且该电路结构中肖特基二级管可在NMOSFET漏极直接制作肖特基金半接触来方便地实现，工艺简明可行又无须增加芯片面积。
If the panel has a very low voltage output (less than 33 cells in series), it is an advantage to employ a Schottky diode in this place.
如果面板上有一个非常低的输出电压(小于33系列中的细胞)，这是一个优势，采用肖特基二极管，在这个地方。
We started with the traditional modeling methods for Schottky diode and the small-signal model had been extracted by using optimization method.
论文从二极管传统的建模方法入手，建立了它的小信号模型，用优化的方法提取了小信号模型参数。
肖特基二极管（Schottky Diode）是一种基于金属-半导体接触原理的二极管，由德国物理学家沃尔特·肖特基（Walter H. Schottky）于1938年提出理论。其核心结构由金属（如钼或铂）与轻掺杂的N型半导体（如硅或砷化镓）接触形成肖特基势垒，取代传统PN结中的P型半导体。这种独特设计使其具备两大显著特性：低正向压降（0.15-0.45V）和超快开关速度（反向恢复时间可短至皮秒级）。
相较于普通二极管，肖特基二极管的工作原理依赖多数载流子（电子）的移动，而非PN结的少数载流子扩散，因此消除了电荷存储效应。这一特性使其在高频应用（如射频混频器、微波检测电路）和高效能电源转换（如开关电源的整流模块）中表现优异。例如在CPU供电电路中，可减少约0.3V的功率损耗，显著提升系统效率。
然而，其金属-半导体结构也带来局限性：反向漏电流较高（比硅二极管大3个数量级）和耐压能力较低（通常低于100V）。这限制了其在高压环境的应用，但通过碳化硅（SiC）等宽禁带半导体材料的改进，新一代肖特基器件已突破至1700V耐压水平。美国国家标准与技术研究院（NIST）的研究表明，此类器件在新能源逆变器和电动汽车充电桩中的转换效率可达99%以上。
参考来源：
肖特基二极管（Schottky diode）是一种基于金属-半导体接触原理的二极管，具有独特的电学特性。以下从定义、结构、特点等方面进行解释：
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