肖特基二極管
Microwave nW power sensor USES low barrier schottky diode (LBSD) as a component for testing the power of microwave signals.
本文介紹了使用低勢壘肖特基二極管(LBSD)作為檢測微波信號功率元件的微波毫微瓦功率傳感器。
MP2109 Each converter integrates a main switch and a synchronous rectifier for high efficiency without an external Schottky diode.
每一路變換器都集成了一個主開關管和同步整流管以提高效率，無需外部肖特基二極管。
Also, the added schottky diode can be easily realized by schottky contact in the drain of the NMOSFET, which does not add chip area.
且該電路結構中肖特基二級管可在NMOSFET漏極直接制作肖特基金半接觸來方便地實現，工藝簡明可行又無須增加芯片面積。
If the panel has a very low voltage output (less than 33 cells in series), it is an advantage to employ a Schottky diode in this place.
如果面闆上有一個非常低的輸出電壓(小于33系列中的細胞)，這是一個優勢，采用肖特基二極管，在這個地方。
We started with the traditional modeling methods for Schottky diode and the small-signal model had been extracted by using optimization method.
論文從二極管傳統的建模方法入手，建立了它的小信號模型，用優化的方法提取了小信號模型參數。
肖特基二極管（Schottky diode）是一種基于金屬-半導體接觸原理的二極管，具有獨特的電學特性。以下從定義、結構、特點等方面進行解釋：
Schottky二極管是一種半導體器件，由于其具有低電壓降和快速開關速度，被廣泛應用于電子電路中。下面是對Schottky二極管的詳細解釋：
The Schottky diode is commonly used in high frequency switching applications.（Schottky二極管常被用于高頻開關電路中。）
The Schottky barrier height determines the rectifying characteristics of the Schottky diode.（Schottky勢壘高度決定了Schottky二極管的整流特性。）
Schottky二極管是一種非常重要的電子器件，常被用于高速開關電路、功率電路、整流器、瞬變抑制器等方面。它的優點是具有低電壓降、快速開關速度以及低反向漏電流等特點。
Schottky二極管是一種結構簡單的半導體器件，它由n型半導體和金屬之間的P型結構組成。和普通的PN結不同，Schottky二極管是由金屬與半導體直接形成的勢壘結，形成的勢壘比PN結低得多。因此，Schottky二極管具有更低的開關電壓和更快的開關速度。
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