肖特基二極管
Microwave nW power sensor USES low barrier schottky diode (LBSD) as a component for testing the power of microwave signals.
本文介紹了使用低勢壘肖特基二極管(LBSD)作為檢測微波信號功率元件的微波毫微瓦功率傳感器。
MP2109 Each converter integrates a main switch and a synchronous rectifier for high efficiency without an external Schottky diode.
每一路變換器都集成了一個主開關管和同步整流管以提高效率，無需外部肖特基二極管。
Also, the added schottky diode can be easily realized by schottky contact in the drain of the NMOSFET, which does not add chip area.
且該電路結構中肖特基二級管可在NMOSFET漏極直接制作肖特基金半接觸來方便地實現，工藝簡明可行又無須增加芯片面積。
If the panel has a very low voltage output (less than 33 cells in series), it is an advantage to employ a Schottky diode in this place.
如果面闆上有一個非常低的輸出電壓(小于33系列中的細胞)，這是一個優勢，采用肖特基二極管，在這個地方。
We started with the traditional modeling methods for Schottky diode and the small-signal model had been extracted by using optimization method.
論文從二極管傳統的建模方法入手，建立了它的小信號模型，用優化的方法提取了小信號模型參數。
肖特基二極管（Schottky Diode）是一種基于金屬-半導體接觸原理的二極管，由德國物理學家沃爾特·肖特基（Walter H. Schottky）于1938年提出理論。其核心結構由金屬（如钼或鉑）與輕摻雜的N型半導體（如矽或砷化镓）接觸形成肖特基勢壘，取代傳統PN結中的P型半導體。這種獨特設計使其具備兩大顯著特性：低正向壓降（0.15-0.45V）和超快開關速度（反向恢複時間可短至皮秒級）。
相較于普通二極管，肖特基二極管的工作原理依賴多數載流子（電子）的移動，而非PN結的少數載流子擴散，因此消除了電荷存儲效應。這一特性使其在高頻應用（如射頻混頻器、微波檢測電路）和高效能電源轉換（如開關電源的整流模塊）中表現優異。例如在CPU供電電路中，可減少約0.3V的功率損耗，顯著提升系統效率。
然而，其金屬-半導體結構也帶來局限性：反向漏電流較高（比矽二極管大3個數量級）和耐壓能力較低（通常低于100V）。這限制了其在高壓環境的應用，但通過碳化矽（SiC）等寬禁帶半導體材料的改進，新一代肖特基器件已突破至1700V耐壓水平。美國國家标準與技術研究院（NIST）的研究表明，此類器件在新能源逆變器和電動汽車充電樁中的轉換效率可達99%以上。
參考來源：
肖特基二極管（Schottky diode）是一種基于金屬-半導體接觸原理的二極管，具有獨特的電學特性。以下從定義、結構、特點等方面進行解釋：
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