FET是什麼意思，FET的意思翻譯、用法、同義詞、例句

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FET（場效應晶體管，Field-Effect Transistor）是一種利用電場效應控制電流的半導體器件，是現代電子電路的核心元件之一。其工作原理是通過施加在栅極（Gate）上的電壓來調制源極（Source）和漏極（Drain）之間半導體溝道的導電性，從而控制溝道中的電流大小。與雙極型晶體管（BJT）不同，FET是電壓控制型器件，具有輸入阻抗高、噪聲低、功耗小等優點。

1.核心結構與類型

FET主要由三個電極構成：栅極（G）、源極（S）、漏極（D）。根據溝道材料和控制方式，主要分為兩類：

• 結型場效應管（JFET）：通過反向偏置PN結形成的耗盡區控制溝道寬度。例如N溝道JFET中，栅極電壓越負，耗盡區越寬，溝道電流越小。
• 金屬-氧化物-半導體場效應管（MOSFET）：通過絕緣層（如二氧化矽）隔離栅極與溝道，分為增強型和耗盡型。增強型MOSFET在零栅壓時溝道關閉，正栅壓（N溝道）開啟；耗盡型則反之。

2.工作原理

FET的核心是電壓控制溝道電阻。以N溝道增強型MOSFET為例：

• 當栅源電壓 ( V_{GS} = 0 ) 時，源漏之間無導電溝道，電流 ( I_D = 0 )。
• 當 ( V{GS} > ) 阈值電壓 ( V{th} ) 時，栅極電場吸引電子形成反型層（溝道），( ID ) 隨 ( V{GS} ) 增大而增大。
• 輸出特性曲線分為可變電阻區（( V{DS} ) 較小時）和飽和區（( V{DS} ) 較大時），後者電流基本由 ( V_{GS} ) 決定。

3.關鍵特性參數

• 跨導（( g_m ）：表征栅壓對漏極電流的控制能力，( g_m = frac{partial ID}{partial V{GS}} )。
• 阈值電壓（( V_{th} ）：開啟溝道所需的最小栅源電壓。
• 輸入阻抗：MOSFET可達 ( 10^{12} sim 10^{15} Omega )，幾乎不取用輸入電流。

4.應用領域

FET廣泛應用于：

• 集成電路：MOSFET是CPU、存儲器等數字芯片的基礎單元。
• 放大器：低噪聲、高輸入阻抗特性適用于射頻放大和傳感器接口電路。
• 開關電源：MOSFET的高頻開關特性提升電源效率。
• 模拟開關：利用導通/截止狀态實現信號路由。

權威參考資料

1. IEEE電子器件學會對FET的定義與分類标準（鍊接）。
2. 康奈爾大學EECS課程《半導體器件物理》中FET工作原理詳解（鍊接）。
3. 亞利桑那州立大學《微電子電路》教材中MOSFET特性分析（鍊接）。

網絡擴展資料

FET 主要有以下兩種常見含義，具體解釋如下：

1. 場效應晶體管（Field-Effect Transistor）
這是電子工程領域的核心術語，指一種通過電場效應控制電流的半導體器件。其特點包括：

• 電壓控制：通過栅極電壓調節導電溝道的寬度，無需輸入電流（高輸入阻抗）。
• 類型：主要分為JFET（結型場效應管）和MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應管），後者廣泛應用于集成電路。
• 應用：用于放大器、開關電路、電源管理芯片等，如手機處理器和計算機内存中大量使用MOSFET。

2. 其他領域縮寫（較不常見）

• Further Education and Training：指繼續教育與培訓，常見于教育政策或職業培訓場景。
• Federal Excise Tax：某些國家的聯邦消費稅。
• Foreign Exchange Transaction：外彙交易相關術語。

若您提問的是電子學術語，建議結合具體電路或器件場景進一步探讨；若涉及其他領域，請補充上下文以便更精準解答。

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