disilicide是什麼意思，disilicide的意思翻譯、用法、同義詞、例句

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Disilicide（二矽化物）指的是一類由金屬元素與矽元素按特定比例組成的化合物，其化學通式通常為M-Si₂，其中 M 代表金屬元素。這類化合物在材料科學和半導體工業中具有重要地位。

核心特性與應用：

1. 化學組成與結構： 二矽化物是金屬矽化物（Metal Silicides）家族中的重要成員。其名稱中的 "di-" 表示每個金屬原子對應兩個矽原子（Si:M = 2:1）。它們通常具有特定的晶體結構，如四方晶系的 C11b 結構（如 MoSi₂、WSi₂）或六方晶系的 C40 結構（如 TaSi₂、NbSi₂），這些結構賦予了它們獨特的物理化學性質。
2. 低電阻率： 許多過渡金屬的二矽化物（如 TiSi₂、CoSi₂、NiSi₂）具有相對較低的電阻率（通常在 15-50 μΩ·cm 範圍）。這一特性使其非常適合作為集成電路中的局部互連材料 和栅極接觸材料，用于連接晶體管的不同部分或降低接觸電阻，提升器件性能和集成度。
3. 高溫穩定性： 某些二矽化物，特别是 MoSi₂ 和 WSi₂，具有極高的熔點和優異的高溫抗氧化能力（形成保護性的 SiO₂ 層）。這使得它們被廣泛用作高溫結構材料（如燃氣輪機葉片塗層、高溫加熱元件）和集成電路制造中的高溫穩定電極/互連。
4. 矽工藝兼容性： 二矽化物可以通過金屬薄膜與矽基底在適當溫度下進行固态反應（稱為矽化反應）形成。這種工藝與标準的矽基集成電路制造工藝兼容，易于集成。
5. 其他應用： 除了微電子和高溫應用，二矽化物在熱電材料（如 MnSi₂）、耐磨塗層、擴散阻擋層等領域也有研究價值和應用潛力。

Disilicide 特指化學式為 M-Si₂ 的金屬矽化物化合物。它們因其低電阻率（在微電子互連中應用）、優異的高溫穩定性與抗氧化性（在高溫結構材料中應用）以及與矽工藝的良好兼容性，成為現代半導體技術和高溫工程材料領域的關鍵物質。其中，TiSi₂、CoSi₂、NiSi₂ 在集成電路中扮演重要角色，而 MoSi₂、WSi₂ 則在高溫環境下表現突出。

來源參考：

• 定義與基本特性：根據材料科學與固态化學領域共識。
• 微電子應用（低電阻率、互連、接觸）：參考半導體器件物理與制造工藝标準教材，如 S. M. Sze 的著作《Physics of Semiconductor Devices》或《VLSI Technology》。
• 高溫應用（MoSi₂, WSi₂）：參考高溫材料或陶瓷材料領域的權威文獻，如《Journal of the American Ceramic Society》或《Materials Science and Engineering》期刊上的相關綜述。
• 矽化反應與工藝兼容性：參考集成電路制造技術手冊，如《Handbook of Semiconductor Manufacturing Technology》。

網絡擴展資料

根據權威詞典解釋，disilicide（發音：英/daɪˈsɪlɪsaɪd/，美/daɪˈsɪlɪsaɪd/）是化學領域中的專業術語，具體含義如下：

1. 基本定義
   指由兩種元素組成的化合物，其中包含兩個矽原子與另一種金屬元素結合，化學通式通常為MSi₂（M代表金屬元素）。例如钼二矽化物（MoSi₂）是常見類型。

2. 中文譯名與使用場景
   中文譯為“二矽化物”（或舊稱“二矽化物”），主要用于電子學領域，如半導體材料、集成電路中的導電層或高溫抗氧化塗層。

3. 特性與用途
   這類化合物通常具備高熔點、優異導電性和耐腐蝕性，因此在高溫元件、電阻器及微電子器件制造中應用廣泛。例如，MoSi₂在高溫下仍能保持穩定性，常用于加熱元件。

4. 補充說明
   在化學命名中，“di-”表示“兩個”，而“silicide”指“矽化物”，因此該詞直譯為“含兩個矽原子的化合物”。類似結構還有monosilicide（一矽化物）和trisilicide（三矽化物）。

如需更詳細的化學性質或具體應用案例，建議通過專業材料科學文獻進一步查詢。

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