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Auger electron是什麼意思,Auger electron的意思翻譯、用法、同義詞、例句

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常用詞典

  • [物] 俄歇電子

  • 例句

  • The composition of the implanted layer was analysed with Auger electron spectroscopy.

    用俄歇能譜儀對注入層的成分進行了分析。

  • The simulation of the Auger electron emissions in scanning probe electron energy spectrometer (SPEES) is reported.

    報道了對掃描探針電子能譜儀(SPEES)中俄歇電子出射的理論模拟研究。

  • Auger electron spectroscopy (AES) and X ray photoelectron spectroscopy (XPS) are employed to study the synergistic mechanism.

    采用俄歇電子能譜(AES)和X射線光電子能譜(XPS)研究其協合潤滑機理。

  • Auger electron Spectrscopy (AES) has widespread use in determining the chemical and electronic structure of solid surface (40a).

    俄歇電子譜儀廣泛地利用來确定固體表面的化學和電子結構(40 A)。

  • The structure and chemical compositions of the surface oxide film were investigated by XRD and Auger electron spectrometry (AES).

    利用X射線衍射(XRD)和俄歇電子衍射(AES)觀察了表面膜的化學成分及結構。

  • 專業解析

    俄歇電子(Auger electron) 是一種在原子内部能量弛豫過程中釋放的二次電子,屬于非輻射躍遷的物理現象。當原子内層電子(如K層)被電離形成空位後,外層電子(如L層)會躍遷至該空位。此時,多餘的能量不以X射線形式釋放,而是通過俄歇過程傳遞給另一外層電子(如L層或M層),使其脫離原子束縛而發射,該電子即為俄歇電子。

    核心特征與機制:

    1. 非輻射躍遷特性

      俄歇過程與X射線熒光輻射互為競争機制。當原子序數較低(通常Z<30)時,俄歇效應占主導,因其發生概率隨原子序數減小而增大。

    2. 特征能量

      俄歇電子的動能由三個能級決定(如KL₁L₂表示初始空位在K層,填補電子來自L₁層,發射電子來自L₂層),其能量具有元素特異性,是表面成分分析的基礎。

    3. 表面敏感性

      俄歇電子平均自由程極短(約0.5–3 nm),僅表層原子發射的電子可逃逸至真空,故被廣泛應用于表面科學與材料分析。

    命名與發現:

    該現象由法國物理學家皮埃爾·俄歇(Pierre Auger) 于1925年在雲室實驗中首次觀測到。他通過宇宙射線軌迹發現電子能量與初級電離無關,從而揭示了這一原子弛豫機制。

    應用領域:


    注:因未搜索到可引用的具體網頁鍊接,本文定義與機制描述基于物理學界公認的原子物理模型及表面分析原理,應用案例參考材料表征領域的通用技術标準。建議通過學術數據庫(如Springer、IEEE Xplore)檢索“Auger electron spectroscopy”獲取權威文獻。

    網絡擴展資料

    Auger electron(俄歇電子)是原子内部電子躍遷過程中釋放的一種電子,其形成機制和應用如下:

    1.定義與産生機制

    俄歇電子是原子内層電子被激發電離後,較高能級電子填充空位,多餘能量以非輻射方式傳遞給外層電子,使其脫離原子而形成的電子。這一過程涉及三個以上電子層:内層空位、中間能級電子躍遷,以及外層電子發射。

    2.能量來源

    俄歇電子的動能主要取決于原子能級差。例如,若K層電子被電離,L層電子躍遷填補空位,釋放的能量使M層電子脫離原子,其動能可近似表示為:
    $$ E_{text{Auger}} = E_K - E_L - E_M
    $$
    其中,$E_K$、$E_L$、$E_M$分别為對應能級的結合能()。

    3.特性與應用

    4.産生條件

    原子需具備至少三個電子層才能産生俄歇效應,因此氫、氦等輕元素無法形成俄歇電子()。

    擴展說明

    俄歇電子能譜技術(AES)在材料科學和半導體工業中廣泛應用,可精确表征材料表面元素分布及化學态()。如需更深入的理論推導或實驗方法,可參考表面分析相關文獻。

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