单级型晶体管英文解释翻译、单级型晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 unipolar transistor

分词翻译：

单的英语翻译：

odd; single
【医】 azygos; mon-; mono-; uni-

级的英语翻译：

class; grade; level; o-level; rank; stage; step
【医】 grade

型的英语翻译：

model; mould; type
【医】 form; habit; habitus; pattern; series; Ty.; type
【经】 type

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

单级型晶体管（单极型晶体管）的汉英词典释义

中文术语：单级型晶体管（更准确为“单极型晶体管”）

英文术语：Unipolar Transistor

一、基本概念

单极型晶体管（Unipolar Transistor）是一种仅依赖单一载流子（电子或空穴）导电的半导体器件。与双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）不同，其工作机理基于电场控制多数载流子的漂移运动，而非少数载流子的注入与复合。典型代表为金属-氧化物-半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

二、工作原理

结构特征：
- 由源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）构成，栅极通过绝缘层（如二氧化硅）与半导体沟道隔离。
- 沟道类型分为N沟道（电子导电）和P沟道（空穴导电）。
控制机制：
- 栅极电压（(V{GS})）调控沟道导电性：当(V{GS})超过阈值电压（(V{th})）时，沟道形成，漏源极间电流（(I{DS})）受(V_{GS})线性或平方律调节。

三、核心特性

输入阻抗高（可达(10 Omega)以上），栅极电流极小，适合高精度控制电路。
开关速度快（纳秒级），因无少数载流子存储效应，适用于高频开关电源及数字电路。
功耗低：静态工作时几乎无栅极电流，动态功耗与开关频率相关。

四、典型应用

功率电子：开关电源、电机驱动（如MOSFET功率模块）。
集成电路：CPU、存储器等数字电路的逻辑门设计（CMOS技术）。
射频电路：低噪声放大器（LNA）及高频信号处理。

参考文献来源：

Sedra, A. S., & Smith, K. C. Microelectronic Circuits (牛津大学出版社).
Baliga, B. J. Fundamentals of Power Semiconductor Devices (Springer).
Gray, P. R. Analysis and Design of Analog Integrated Circuits (威利出版社).

网络扩展解释

“单级型晶体管”可能是一个术语的混淆或误写。在电子学中，常见的晶体管分类主要分为以下两类：

1.可能存在的术语混淆：单极型晶体管（Unipolar Transistor）

如果“单级型”实际应为“单极型”，则指场效应晶体管（Field-Effect Transistor, FET），其特点是仅依赖一种载流子（电子或空穴）导电，因此称为“单极型”。

典型类型：包括MOSFET（金属-氧化物半导体场效应管）和JFET（结型场效应管）。
工作原理：通过外部电场控制导电沟道的宽度，从而调节电流。
特点：
- 输入阻抗高（几乎不取电流）；
- 功耗低，适合集成电路；
- 仅多数载流子参与导电（如N沟道的电子）。

2.双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT）

作为对比，BJT是另一种主要类型：

结构：由两个PN结（NPN或PNP型）组成，涉及电子和空穴两种载流子。
特点：
- 电流驱动（需要基极电流）；
- 高频性能较好，但功耗较高。

可能存在的其他解释

若“单级型”指电路中的“单级放大器”，则指仅包含一个晶体管放大级的电路，例如共射极（BJT）或共源极（FET）配置，用于信号放大。

建议

如果您的实际需求与上述内容不符，可能是术语的翻译或书写偏差，请提供更多上下文或检查术语准确性。