單級型晶體管英文解釋翻譯、單級型晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 unipolar transistor

分詞翻譯：

單的英語翻譯：

odd; single
【醫】 azygos; mon-; mono-; uni-

級的英語翻譯：

class; grade; level; o-level; rank; stage; step
【醫】 grade

型的英語翻譯：

model; mould; type
【醫】 form; habit; habitus; pattern; series; Ty.; type
【經】 type

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

單級型晶體管（單極型晶體管）的漢英詞典釋義

中文術語：單級型晶體管（更準确為“單極型晶體管”）

英文術語：Unipolar Transistor

一、基本概念

單極型晶體管（Unipolar Transistor）是一種僅依賴單一載流子（電子或空穴）導電的半導體器件。與雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）不同，其工作機理基于電場控制多數載流子的漂移運動，而非少數載流子的注入與複合。典型代表為金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

二、工作原理

結構特征：
- 由源極（Source）、漏極（Drain）和栅極（Gate）構成，栅極通過絕緣層（如二氧化矽）與半導體溝道隔離。
- 溝道類型分為N溝道（電子導電）和P溝道（空穴導電）。
控制機制：
- 栅極電壓（(V{GS})）調控溝道導電性：當(V{GS})超過阈值電壓（(V{th})）時，溝道形成，漏源極間電流（(I{DS})）受(V_{GS})線性或平方律調節。

三、核心特性

輸入阻抗高（可達(10 Omega)以上），栅極電流極小，適合高精度控制電路。
開關速度快（納秒級），因無少數載流子存儲效應，適用于高頻開關電源及數字電路。
功耗低：靜态工作時幾乎無栅極電流，動态功耗與開關頻率相關。

四、典型應用

功率電子：開關電源、電機驅動（如MOSFET功率模塊）。
集成電路：CPU、存儲器等數字電路的邏輯門設計（CMOS技術）。
射頻電路：低噪聲放大器（LNA）及高頻信號處理。

參考文獻來源：

Sedra, A. S., & Smith, K. C. Microelectronic Circuits (牛津大學出版社).
Baliga, B. J. Fundamentals of Power Semiconductor Devices (Springer).
Gray, P. R. Analysis and Design of Analog Integrated Circuits (威利出版社).

網絡擴展解釋

“單級型晶體管”可能是一個術語的混淆或誤寫。在電子學中，常見的晶體管分類主要分為以下兩類：

1.可能存在的術語混淆：單極型晶體管（Unipolar Transistor）

如果“單級型”實際應為“單極型”，則指場效應晶體管（Field-Effect Transistor, FET），其特點是僅依賴一種載流子（電子或空穴）導電，因此稱為“單極型”。

典型類型：包括MOSFET（金屬-氧化物半導體場效應管）和JFET（結型場效應管）。
工作原理：通過外部電場控制導電溝道的寬度，從而調節電流。
特點：
- 輸入阻抗高（幾乎不取電流）；
- 功耗低，適合集成電路；
- 僅多數載流子參與導電（如N溝道的電子）。

2.雙極型晶體管（Bipolar Junction Transistor, BJT）

作為對比，BJT是另一種主要類型：

結構：由兩個PN結（NPN或PNP型）組成，涉及電子和空穴兩種載流子。
特點：
- 電流驅動（需要基極電流）；
- 高頻性能較好，但功耗較高。

可能存在的其他解釋

若“單級型”指電路中的“單級放大器”，則指僅包含一個晶體管放大級的電路，例如共射極（BJT）或共源極（FET）配置，用于信號放大。

建議

如果您的實際需求與上述内容不符，可能是術語的翻譯或書寫偏差，請提供更多上下文或檢查術語準确性。