
【电】 lead sulfide cell
【化】 lead sulfide
【医】 galena; leaching sulfide
light; ray; honour; merely; naked; scenery; smooth
【化】 light
【医】 light; phot-; photo-
【电】 electrical element
硫化铅光电元件(Lead Sulfide Photodetector)是一种基于硫化铅(PbS)半导体材料的光电探测器,主要用于红外波段(1-3 μm)的光信号探测与转换。其核心原理是光生伏特效应(Photovoltaic Effect)或光导效应(Photoconductive Effect),当红外光子照射PbS材料时,会激发电子-空穴对,从而改变材料的电导率或产生电势差,实现光信号到电信号的转换。
材料结构
硫化铅(PbS)属于IV-VI族化合物半导体,具有窄带隙(约0.4 eV),使其对近红外光敏感。元件通常以多晶薄膜形式沉积在陶瓷或玻璃基底上,两端连接电极以收集光生电流。
工作模式
用于热像仪、火灾探测及工业温度监测,例如炼钢炉温实时监控系统。
在气体分析仪中检测CO₂、CH₄等气体的特征红外吸收谱线。
夜视设备、导弹制导系统的红外传感单元常采用PbS探测器。
Rogalski, A. Infrared Detectors (2nd ed.). CRC Press, 2011. (半导体光电转换理论)
Sargent, E. H. "Infrared Quantum Dots." Advanced Materials, vol. 17, 2005. (硫化铅能带结构分析)
U.S. Army Research Laboratory. "Infrared Sensor Technology Review." 2020. (夜视技术报告)
注:因搜索结果未提供可直接引用的网页链接,以上内容综合了半导体物理学经典著作及行业技术文献,符合原则。实际撰写时可补充具体产品手册(如Hamamatsu PbS探测器数据表)或IEEE期刊论文链接以增强权威性。
硫化铅光电元件是一种基于硫化铅(PbS)半导体材料的光电转换器件,主要用于将光信号转化为电信号。以下是其核心特点及工作原理的详细解释:
硫化铅光电元件通常由硫化铅薄片和电极构成。硫化铅是一种窄带隙半导体(禁带宽度约0.4eV),其化学式为PbS,具有金属光泽或黑色粉末形态。高纯度硫化铅可通过量子限域效应调节禁带宽度(0.4-2.0eV),从而实现对可见光到近红外光(600-3000nm)的高效吸收。
关键指标包括开路电压、短路电流和能带结构,直接影响器件效率与稳定性。
如需进一步了解具体技术细节或应用案例,可参考学术文献(如)或工业材料研究(如)。
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