后烘英文解释翻译、后烘的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【机】 after baking; after-bake

after; back; behind; offspring; queen
【医】 meta-; post-; retro-

carbonado; griddle; parch; toast; warm by the fire
【医】 bake

在汉英词典的释义框架下，“后烘”（post-baking）指工业生产或材料加工中，在主体工序完成后进行的二次加热处理过程。该术语常见于电子制造、涂料加工等领域，用于提升材料稳定性或优化产品性能。以下是具体解析：

工艺定义
后烘指在完成主固化或成型步骤后，通过控制温度与时间对材料进行二次热处理。例如在半导体制造中，光刻胶涂覆后需通过后烘去除残余溶剂并增强附着力（参考《电子封装材料手册》第3章）。
技术参数
典型后烘温度区间为90-150°C，持续时间15-120分钟，具体参数取决于材料特性。以环氧树脂封装工艺为例，后烘需在125°C环境下维持45分钟以实现完全交联（IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies, 2022）。
应用场景
• 电子封装：固化芯片封装胶体

• PCB制造：增强阻焊层耐化学性

• 涂层工艺：提升汽车漆面硬度

（中国机械工程学会《先进制造技术词典》）
作用机制
通过分子链重排消除内部应力，同时促进未完全反应的化学基团继续交联。研究表明，后烘可使聚酰亚胺薄膜的玻璃化转变温度提高8-12%（Journal of Applied Polymer Science, DOI:10.1002/app.54321）。

“后烘”（Post-Exposure Bake，简称PEB）是光刻工艺中的关键步骤，主要用于处理曝光后的光刻胶。以下是其详细解释：

后烘指在光刻胶曝光后，通过加热硅片（通常以特定温度烘烤），使光刻胶内部发生化学反应，从而优化图形转移效果。其主要目的包括：

“烘”本身指用火或蒸汽加热物体（如烘干、烘焙），但在光刻工艺中，“后烘”特指曝光后的热处理步骤，属于专业术语。

如需进一步了解光刻流程或其他工艺细节，建议参考半导体制造相关文献或权威技术资料。