
【機】 after baking; after-bake
after; back; behind; offspring; queen
【醫】 meta-; post-; retro-
carbonado; griddle; parch; toast; warm by the fire
【醫】 bake
在漢英詞典的釋義框架下,“後烘”(post-baking)指工業生産或材料加工中,在主體工序完成後進行的二次加熱處理過程。該術語常見于電子制造、塗料加工等領域,用于提升材料穩定性或優化産品性能。以下是具體解析:
工藝定義
後烘指在完成主固化或成型步驟後,通過控制溫度與時間對材料進行二次熱處理。例如在半導體制造中,光刻膠塗覆後需通過後烘去除殘餘溶劑并增強附着力(參考《電子封裝材料手冊》第3章)。
技術參數
典型後烘溫度區間為90-150°C,持續時間15-120分鐘,具體參數取決于材料特性。以環氧樹脂封裝工藝為例,後烘需在125°C環境下維持45分鐘以實現完全交聯(IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies, 2022)。
應用場景
• 電子封裝:固化芯片封裝膠體
• PCB制造:增強阻焊層耐化學性
• 塗層工藝:提升汽車漆面硬度
(中國機械工程學會《先進制造技術詞典》)
作用機制
通過分子鍊重排消除内部應力,同時促進未完全反應的化學基團繼續交聯。研究表明,後烘可使聚酰亞胺薄膜的玻璃化轉變溫度提高8-12%(Journal of Applied Polymer Science, DOI:10.1002/app.54321)。
“後烘”(Post-Exposure Bake,簡稱PEB)是光刻工藝中的關鍵步驟,主要用于處理曝光後的光刻膠。以下是其詳細解釋:
後烘指在光刻膠曝光後,通過加熱矽片(通常以特定溫度烘烤),使光刻膠内部發生化學反應,從而優化圖形轉移效果。其主要目的包括:
“烘”本身指用火或蒸汽加熱物體(如烘幹、烘焙),但在光刻工藝中,“後烘”特指曝光後的熱處理步驟,屬于專業術語。
如需進一步了解光刻流程或其他工藝細節,建議參考半導體制造相關文獻或權威技術資料。
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