晶体管工艺英文解释翻译、晶体管工艺的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 transistor technology

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

craft; technics; technology
【计】 MOS technology
【化】 methodology
【经】 technology

晶体管工艺（Transistor Fabrication Technology）是半导体制造领域的核心技术，指通过特定工艺流程在硅基材料上制备晶体管器件的方法体系。其核心目标是通过光刻、掺杂、沉积等步骤，在纳米尺度构建具有放大和开关功能的半导体结构。

从技术实现角度，该工艺包含以下关键环节：

现代FinFET工艺通过三维鳍式结构增强栅极控制能力，相较平面晶体管可降低漏电流达90%（来源：国际固态电路会议ISSCC技术白皮书）。当前3nm节点已采用环栅（GAA）结构提升器件密度，晶体管密度可达3.3亿个/mm²（来源：VLSI国际研讨会技术报告）。

晶体管工艺是指将半导体材料（如硅）加工成晶体管的全套制造流程，涉及材料处理、结构成型及功能实现。以下是其核心步骤与技术要点：

晶圆制备
以高纯度硅为原料，通过晶体生长形成圆柱形硅锭，经切割、抛光制成厚度约0.5mm的晶圆片，作为晶体管制造的基础基板。
光刻与蚀刻
- 光刻：使用掩膜版（含电路图案）和光刻机，通过紫外线曝光将图形转移到晶圆表面的光刻胶层。
- 蚀刻：用氢氟酸等化学试剂去除未被光刻胶保护的区域，形成三维结构（如沟槽或电极）。
掺杂与扩散
通过离子注入或高温扩散工艺，向特定区域掺入硼、磷等杂质，形成P型或N型半导体结构，构建晶体管的核心PN结。
金属化与互连
在晶圆表面沉积金属层（如铜或铝），并通过刻蚀形成导线，实现晶体管与其他元件的电路连接。
退火与封装
高温退火修复晶格损伤，最后切割晶圆成独立芯片并进行封装保护。

晶体管工艺是集成电路制造的核心技术，支撑计算机处理器、通信芯片、传感器等现代电子设备的微型化与高性能化。

如需更完整信息，可参考道客巴巴及半导体制造相关专业文献。