起始逆向電壓英文解釋翻譯、起始逆向電壓的近義詞、反義詞、例句
英語翻譯：
【電】 initial inverse voltage
分詞翻譯：
起始的英語翻譯：
incept; origination
【計】 start
【醫】 impetus; onset
逆向電壓的英語翻譯：
【電】 revers voltage
專業解析
起始逆向電壓（英文：Initial Reverse Voltage），在電力電子和半導體器件領域指半導體器件（如二極管、晶閘管）在反向偏置狀态下，能夠承受而不發生顯著反向電流洩漏或擊穿的最高電壓阈值。它是器件反向阻斷能力的核心參數，直接關系到電路的可靠性與安全性。以下從三個維度解析其含義：
一、基礎定義與漢英對照
- 漢語術語：起始逆向電壓（又稱反向擊穿電壓、反向阻斷電壓）
- 英文對應：
二、物理機制與工程意義
當半導體器件施加反向電壓時，内部PN結形成耗盡層。起始逆向電壓即耗盡層臨界電場強度對應的電壓值，超過此值将引發以下物理效應：
- 雪崩擊穿（Avalanche Breakdown）：高電場加速載流子碰撞電離，導緻電流劇增；
- 齊納擊穿（Zener Breakdown）：重摻雜PN結的隧穿效應主導（常見于<5V低壓器件）。
工程應用中的關鍵影響：
- 選型依據：設計電路時需确保工作反向電壓低于器件标稱起始逆向電壓（通常取80%降額）；
- 失效模式：超壓可能導緻永久性熱擊穿，引發系統短路。
三、權威測試标準與典型值參考
根據國際電工委員會（IEC）标準IEC 60747-1，起始逆向電壓的測試條件為：
在25°C環境溫度下，施加反向電壓至反向電流達到指定阈值（如矽二極管常取1mA）時的電壓值。
常見器件典型範圍：
| 器件類型 |
起始逆向電壓範圍 |
應用場景 |
| 整流二極管 |
50V–2000V |
電源AC/DC轉換 |
| 肖特基二極管 |
20V–200V |
高頻開關電路 |
| 晶閘管（SCR） |
600V–6500V |
電機驅動、高壓整流 |
數據來源：ON Semiconductor《二極管與整流器手冊》
四、溫度依賴性公式
起始逆向電壓隨溫度升高呈正系數變化（矽器件約+0.1%/°C），其關系可表述為：
$$
V{BR}(T) = V{BR}(25°C) times left[1 + alpha_T (T - 25)right]
$$
其中 $alpha_T$ 為溫度系數，$T$ 為結溫（單位：°C）。
公式來源：Texas Instruments《半導體溫度特性白皮書》
權威參考文獻來源：
- IEEE Standards Association. IEEE Std 100: Dictionary of IEEE Standards Terms.
- Sze, S. M. Physics of Semiconductor Devices. Wiley, Chap 2.
- IEC 60747-1: Semiconductor devices - Part 1: General.
- ON Semiconductor. Diode & Rectifier Applications Handbook.
- Texas Instruments. Temperature Effects on Semiconductor Breakdown Voltages.
網絡擴展解釋
“起始逆向電壓”這一術語在電子工程和半導體領域中通常與反向電壓的初始階段或臨界值相關，但具體含義需結合上下文理解。以下是綜合多來源的分析和解釋：
1.基本定義
- 逆向電壓（反向電壓）：指施加在電子元件（如二極管、半導體器件）上的電壓方向與正常工作方向相反的情況。例如，二極管陽極接電源負極、陰極接正極時，形成反向偏置。
- 起始逆向電壓：可能指反向電壓從零開始增加到某一臨界值的起始階段，或首次達到特定反向特性的電壓阈值。
2.可能的場景解釋
- 半導體器件中的臨界值：在二極管等元件中，當反向電壓從零逐漸增大時，初始階段僅有微小漏電流；當電壓達到反向擊穿電壓（如齊納擊穿或雪崩擊穿）時，電流急劇增大。此擊穿前的臨界電壓可能被稱為起始逆向電壓。
- 電感元件的瞬态響應：在含有電感（如線圈）的電路中，突然斷開電源時，電感會産生瞬時反向電動勢（如提到的“逆起電壓”）。此時産生的初始峰值電壓可視為起始逆向電壓。
3.技術影響
- 器件保護：起始逆向電壓可能涉及元件耐受反向電壓的極限值，超過此值可能導緻擊穿或損壞。
- 電路設計：在開關電路或電力電子系統中，需考慮電感等元件斷開時産生的起始逆向電壓，通常通過續流二極管等保護措施抑制高壓瞬态。
4.注意事項
- 該術語可能因應用場景不同而有差異，例如：
- 半導體領域：可能指反向偏置下首次出現顯著漏電流的電壓。
- 電力系統：可能指瞬态過程中反向電壓的初始峰值。
建議在實際應用中結合具體上下文或技術文檔進一步确認定義，例如參考半導體器件手冊或電路保護設計指南。
分類
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