
消耗因数(介质损耗角)
Extremely low dissipation factor, high stability.
低损耗角正切,高稳定的性能。
Low leakage current, low dissipation factor, high stability.
产品漏电流小,损耗小,性能稳定。
High stability, low dissipation factor, low leakage current.
高稳定,损耗小,漏电流小。
But it has better ripple current and dissipation factor characteristic.
但它能够更好的滤波和更低的耗散因数。
Low dissipation factor, high ripple current. Used in speaker dividing network circuits.
低损耗角正切,高纹波电流。适用于音频网络分频电路。
损耗因子(Dissipation Factor)是电气工程和材料科学中的关键参数,用于量化介电材料在交变电场作用下的能量损耗特性。其定义为介质损耗角正切值(tanδ),即材料的有功功率(能量损耗)与无功功率(储能能力)的比值,数学表达式为:
$$
text{DF} = tandelta = frac{varepsilon''}{varepsilon'}
$$
其中,$varepsilon''$为介电损耗因数,$varepsilon'$为介电常数实部。
该参数在电容器、绝缘系统和高频电路设计中尤为重要。例如,低损耗因子的材料可减少电容器运行时因极化弛豫和电导效应导致的发热,从而提升设备效率。国际电工委员会(IEC)在标准IEC 60250中规定了介质损耗因子的测试方法,要求采用西林电桥法测量材料在特定频率和温度下的损耗特性。
影响损耗因子的主要因素包括材料分子结构(如极性分子增加损耗)、工作频率(高频导致损耗升高)以及环境温度(温升加剧分子热运动)。美国材料与试验协会(ASTM)在ASTM D150标准中详细规范了固体电绝缘材料的介电性能测试条件。
工业应用中,聚丙烯(DF≈0.0002)等低损耗材料常用于高频电容器,而环氧树脂(DF≈0.02)多用于中低频绝缘场景。英国国家物理实验室(NPL)的研究表明,纳米掺杂技术可将陶瓷介质损耗因子降低40%,这为5G通信设备的小型化提供了材料基础。
Dissipation Factor(耗散因数)是工程和材料科学中的专业术语,具体解释如下:
Dissipation Factor(DF)指材料在交变电场中能量损耗与存储能量的比值,常用符号为tanδ(损耗角正切值)。其数学表达式为: $$ tanδ = frac{text{能量损耗功率}}{text{存储能量功率}} $$ 这反映了材料在电磁场作用下的能量转换效率。
测量方法包括介质损耗仪,结果可用于评估材料老化、含水率等(例:变压器油检测)。
在非技术语境中,"dissipation"单独使用时可能指能量消散、浪费或放荡行为(如:热量耗散或生活挥霍),但作为专业术语时仅与能量损耗相关。
如需更深入的技术参数或应用案例,可参考电子工程手册或材料特性数据库。
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