CMOS是什么意思，CMOS的意思翻译、用法、同义词、例句
常用词典
abbr. 互补金属氧化物半导体（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor）
例句
CMOS dual and quad analog switch.
CMOS双路和四路模拟开关。
CMOS switch which can work in ultra low power supply is designed.
设计一种能够工作在超低电源电压下的CMOS开关。
The circuit is ****** and compatible with traditional CMOS processes.
该电路结构简单，制造工艺与传统的CMOS工艺兼容。
This paper presents the design method of a novel CMOS current conversion.
提出了一种新型的CMOS电流转换电路的设计方法。
This paper proposes a defect detection of CMOS camera based on local entropy.
基于局部熵，提出了基于局部熵的CMOS摄像头疵点检测方法。
专业解析
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor），中文译为互补金属氧化物半导体，是微电子学中一种重要的半导体技术，也是现代集成电路（IC）的基础。其核心在于同时使用两种类型的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）：P沟道MOSFET（PMOS）和N沟道MOSFET（NMOS），以“互补”的方式组合工作。
以下是CMOS的详细解释：
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技术原理与核心结构：
- “互补”的含义： CMOS电路的基本单元（如反相器）由一个PMOS晶体管和一个NMOS晶体管组成。这两个晶体管在电气特性上是互补的：PMOS在输入低电平时导通（开关闭合），NMOS在输入高电平时导通（开关闭合）。当输入为高电平时，NMOS导通，PMOS截止，输出连接到地（低电平）；当输入为低电平时，PMOS导通，NMOS截止，输出连接到电源（高电平）。这种结构确保了在任何稳定状态下，总有一个晶体管是截止的。
- “金属氧化物半导体”： 这描述了构成晶体管的基本结构。它由金属（或多晶硅）栅极（Gate）、绝缘的氧化物层（通常是二氧化硅，SiO₂）和半导体（通常是硅，Si）衬底构成。栅极电压控制源极（Source）和漏极（Drain）之间半导体沟道的导通与否。
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关键特性与优势：
- 极低的静态功耗： 这是CMOS技术最突出的优点。在稳定状态（输入电平固定，电路不进行开关操作）下，PMOS和NMOS总有一个是完全截止的，导致从电源（Vdd）到地（GND）之间没有直流导通路径。因此，静态电流极小，功耗几乎为零。
- 高噪声容限： CMOS电路对电源电压波动和噪声干扰有较好的抵抗能力。
- 宽电源电压范围： CMOS电路可以在一个相对较宽的电源电压范围内工作（例如，3V到15V或更宽，具体取决于工艺）。
- 高集成度： CMOS工艺非常适合大规模集成电路（VLSI）制造，能够在一个芯片上集成数百万甚至数十亿个晶体管。
- 良好的逻辑电平摆幅： 输出逻辑高电平接近Vdd，逻辑低电平接近GND，逻辑摆幅大。
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主要应用领域：
- 数字集成电路： 这是CMOS最主要的应用领域。几乎所有的现代微处理器（CPU）、图形处理器（GPU）、内存（RAM，ROM）、微控制器（MCU）、现场可编程门阵列（FPGA）、数字信号处理器（DSP）以及各种数字逻辑芯片（门电路、触发器、计数器等）都基于CMOS技术制造。
- 模拟集成电路： 虽然早期以双极型晶体管为主，但现代许多模拟电路，如运算放大器、数据转换器（ADC/DAC）、锁相环（PLL）、电源管理芯片等，也大量采用CMOS工艺或BiCMOS（结合双极和CMOS）工艺。
- 图像传感器： CMOS图像传感器（CIS）利用CMOS工艺将光敏单元（光电二极管）和信号处理电路集成在同一芯片上，广泛应用于手机摄像头、数码相机、安防监控、医疗成像等领域。其特点是集成度高、功耗低、成本相对较低、读取速度快。
- 射频（RF）电路： 随着工艺进步，CMOS技术也被用于制造射频收发器、功率放大器等，应用于无线通信（如Wi-Fi， Bluetooth， 5G）设备。
- 存储器： 除了作为逻辑电路的基础，CMOS工艺也用于制造SRAM（静态随机存取存储器）等存储单元。
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工艺发展：
- CMOS工艺不断朝着更小的特征尺寸（如7nm， 5nm， 3nm）发展，以实现更高的速度、更低的功耗（动态功耗也随电压降低而显著下降）和更高的集成度。
- 新结构（如FinFET， GAAFET）和新材料（如High-K金属栅）被引入以克服传统平面CMOS在纳米尺度下面临的物理限制（如短沟道效应、栅极漏电流）。
总结来说，CMOS是一种利用互补的P型和N型MOSFET构建电路的技术，以其极低的静态功耗、高集成度和良好的可扩展性，成为当今几乎所有数字集成电路和众多模拟、混合信号、射频及传感器芯片的主导制造技术。
来源参考：
- IEEE Solid-State Circuits Society： 提供关于CMOS电路设计、工艺和应用的权威技术文献和期刊（如IEEE Journal of Solid-State Circuits）。 (代表性机构，具体链接需查找最新期刊)
- Wikipedia - CMOS： (英文版通常有更详细的技术解释) https://en.wikipedia.org/wiki/CMOS
- UC Berkeley EECS 课程资料 (如EE140/240)： 经典教材和讲义深入讲解CMOS器件物理和电路设计基础。 (大学公开课资源)
网络扩展资料
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互补金属氧化物半导体）是一个多领域应用的技术术语，其含义根据上下文有所不同。以下是综合解释：
1.基本定义
CMOS是一种集成电路设计和制造工艺，通过同时使用N型MOSFET（NMOS）和P型MOSFET（PMOS）两种互补晶体管实现电路功能。这种互补结构使得电路在静态时功耗极低，同时具备高集成度和抗干扰能力。
2.核心特性
- 低功耗：仅在状态切换时消耗能量，静态电流几乎为零。
- 高噪声容限：对电压波动不敏感，适合复杂数字电路设计。
- 工艺兼容性：适合大规模集成，广泛应用于微处理器、内存等数字芯片。
3.主要应用领域
(1)数字电路与计算机系统
- 用于制造CPU、内存等核心组件。
- 计算机CMOS芯片：特指主板上的可读写RAM芯片，存储BIOS配置信息（如日期、硬件参数），依赖纽扣电池维持数据。
(2)图像传感器（CIS）
- 将光信号转换为电信号，是数码相机、手机摄像头的核心元件。
- 关键技术包括：
- 拜耳滤光片（Bayer Filter）：通过红、绿、蓝滤光片分离颜色，实现彩色成像。
- 微透镜与光电二极管：聚光并转换光强为电荷信号。
(3)模拟电路与射频器件
4.与其他技术的对比
- 与CCD对比：CMOS图像传感器功耗更低、集成度更高，但早期画质略逊于CCD；随着技术进步，已逐步成为主流。
- 与TTL电路对比：CMOS功耗显著低于晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路。
CMOS既是集成电路工艺，也是具体功能组件的代称。其核心价值在于通过互补晶体管设计实现高效能、低功耗的电子系统，覆盖从计算机存储到光学成像的广泛领域。
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