CMOS是什麼意思，CMOS的意思翻譯、用法、同義詞、例句
常用詞典
abbr. 互補金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor）
例句
CMOS dual and quad analog switch.
CMOS雙路和四路模拟開關。
CMOS switch which can work in ultra low power supply is designed.
設計一種能夠工作在超低電源電壓下的CMOS開關。
The circuit is ****** and compatible with traditional CMOS processes.
該電路結構簡單，制造工藝與傳統的CMOS工藝兼容。
This paper presents the design method of a novel CMOS current conversion.
提出了一種新型的CMOS電流轉換電路的設計方法。
This paper proposes a defect detection of CMOS camera based on local entropy.
基于局部熵，提出了基于局部熵的CMOS攝像頭疵點檢測方法。
專業解析
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor），中文譯為互補金屬氧化物半導體，是微電子學中一種重要的半導體技術，也是現代集成電路（IC）的基礎。其核心在于同時使用兩種類型的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）：P溝道MOSFET（PMOS）和N溝道MOSFET（NMOS），以“互補”的方式組合工作。
以下是CMOS的詳細解釋：
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技術原理與核心結構：
- “互補”的含義： CMOS電路的基本單元（如反相器）由一個PMOS晶體管和一個NMOS晶體管組成。這兩個晶體管在電氣特性上是互補的：PMOS在輸入低電平時導通（開關閉合），NMOS在輸入高電平時導通（開關閉合）。當輸入為高電平時，NMOS導通，PMOS截止，輸出連接到地（低電平）；當輸入為低電平時，PMOS導通，NMOS截止，輸出連接到電源（高電平）。這種結構确保了在任何穩定狀态下，總有一個晶體管是截止的。
- “金屬氧化物半導體”： 這描述了構成晶體管的基本結構。它由金屬（或多晶矽）栅極（Gate）、絕緣的氧化物層（通常是二氧化矽，SiO₂）和半導體（通常是矽，Si）襯底構成。栅極電壓控制源極（Source）和漏極（Drain）之間半導體溝道的導通與否。
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關鍵特性與優勢：
- 極低的靜态功耗： 這是CMOS技術最突出的優點。在穩定狀态（輸入電平固定，電路不進行開關操作）下，PMOS和NMOS總有一個是完全截止的，導緻從電源（Vdd）到地（GND）之間沒有直流導通路徑。因此，靜态電流極小，功耗幾乎為零。
- 高噪聲容限： CMOS電路對電源電壓波動和噪聲幹擾有較好的抵抗能力。
- 寬電源電壓範圍： CMOS電路可以在一個相對較寬的電源電壓範圍内工作（例如，3V到15V或更寬，具體取決于工藝）。
- 高集成度： CMOS工藝非常適合大規模集成電路（VLSI）制造，能夠在一個芯片上集成數百萬甚至數十億個晶體管。
- 良好的邏輯電平擺幅： 輸出邏輯高電平接近Vdd，邏輯低電平接近GND，邏輯擺幅大。
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主要應用領域：
- 數字集成電路： 這是CMOS最主要的應用領域。幾乎所有的現代微處理器（CPU）、圖形處理器（GPU）、内存（RAM，ROM）、微控制器（MCU）、現場可編程門陣列（FPGA）、數字信號處理器（DSP）以及各種數字邏輯芯片（門電路、觸發器、計數器等）都基于CMOS技術制造。
- 模拟集成電路： 雖然早期以雙極型晶體管為主，但現代許多模拟電路，如運算放大器、數據轉換器（ADC/DAC）、鎖相環（PLL）、電源管理芯片等，也大量采用CMOS工藝或BiCMOS（結合雙極和CMOS）工藝。
- 圖像傳感器： CMOS圖像傳感器（CIS）利用CMOS工藝将光敏單元（光電二極管）和信號處理電路集成在同一芯片上，廣泛應用于手機攝像頭、數碼相機、安防監控、醫療成像等領域。其特點是集成度高、功耗低、成本相對較低、讀取速度快。
- 射頻（RF）電路： 隨着工藝進步，CMOS技術也被用于制造射頻收發器、功率放大器等，應用于無線通信（如Wi-Fi， Bluetooth， 5G）設備。
- 存儲器： 除了作為邏輯電路的基礎，CMOS工藝也用于制造SRAM（靜态隨機存取存儲器）等存儲單元。
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工藝發展：
- CMOS工藝不斷朝着更小的特征尺寸（如7nm， 5nm， 3nm）發展，以實現更高的速度、更低的功耗（動态功耗也隨電壓降低而顯著下降）和更高的集成度。
- 新結構（如FinFET， GAAFET）和新材料（如High-K金屬栅）被引入以克服傳統平面CMOS在納米尺度下面臨的物理限制（如短溝道效應、栅極漏電流）。
總結來說，CMOS是一種利用互補的P型和N型MOSFET構建電路的技術，以其極低的靜态功耗、高集成度和良好的可擴展性，成為當今幾乎所有數字集成電路和衆多模拟、混合信號、射頻及傳感器芯片的主導制造技術。
來源參考：
- IEEE Solid-State Circuits Society： 提供關于CMOS電路設計、工藝和應用的權威技術文獻和期刊（如IEEE Journal of Solid-State Circuits）。 (代表性機構，具體鍊接需查找最新期刊)
- Wikipedia - CMOS： (英文版通常有更詳細的技術解釋) https://en.wikipedia.org/wiki/CMOS
- UC Berkeley EECS 課程資料 (如EE140/240)： 經典教材和講義深入講解CMOS器件物理和電路設計基礎。 (大學公開課資源)
網絡擴展資料
CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor，互補金屬氧化物半導體）是一個多領域應用的技術術語，其含義根據上下文有所不同。以下是綜合解釋：
1.基本定義
CMOS是一種集成電路設計和制造工藝，通過同時使用N型MOSFET（NMOS）和P型MOSFET（PMOS）兩種互補晶體管實現電路功能。這種互補結構使得電路在靜态時功耗極低，同時具備高集成度和抗幹擾能力。
2.核心特性
- 低功耗：僅在狀态切換時消耗能量，靜态電流幾乎為零。
- 高噪聲容限：對電壓波動不敏感，適合複雜數字電路設計。
- 工藝兼容性：適合大規模集成，廣泛應用于微處理器、内存等數字芯片。
3.主要應用領域
(1)數字電路與計算機系統
- 用于制造CPU、内存等核心組件。
- 計算機CMOS芯片：特指主闆上的可讀寫RAM芯片，存儲BIOS配置信息（如日期、硬件參數），依賴紐扣電池維持數據。
(2)圖像傳感器（CIS）
- 将光信號轉換為電信號，是數碼相機、手機攝像頭的核心元件。
- 關鍵技術包括：
- 拜耳濾光片（Bayer Filter）：通過紅、綠、藍濾光片分離顔色，實現彩色成像。
- 微透鏡與光電二極管：聚光并轉換光強為電荷信號。
(3)模拟電路與射頻器件
4.與其他技術的對比
- 與CCD對比：CMOS圖像傳感器功耗更低、集成度更高，但早期畫質略遜于CCD；隨着技術進步，已逐步成為主流。
- 與TTL電路對比：CMOS功耗顯著低于晶體管-晶體管邏輯（TTL）電路。
CMOS既是集成電路工藝，也是具體功能組件的代稱。其核心價值在于通過互補晶體管設計實現高效能、低功耗的電子系統，覆蓋從計算機存儲到光學成像的廣泛領域。
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