
n. 抗饱和
antisaturation(抗饱和)是电子工程领域的专业术语,特指在晶体管电路(尤其是双极结型晶体管,BJT)中,为防止晶体管进入深度饱和状态而采取的技术手段。其核心原理是通过限制基极电流或增加集电极-发射极电压,确保晶体管在开关工作模式下能快速退出饱和区,从而提升开关速度和响应性能。以下是详细解释:
晶体管饱和状态指集电极电流达到最大值且不再受基极电流控制的状态。深度饱和会导致关断延迟(存储时间延长),因为需要额外时间清除基区存储的电荷。Antisaturation 通过以下方式解决该问题:
常见抗饱和技术包括:
肖特基钳位(Schottky Clamping)
在BJT的基极-集电极间并联肖特基二极管。当集电极电压降至低于基极电压时,二极管导通,将集电结电压钳位在约0.3–0.4V,阻止晶体管进入深度饱和。该技术广泛应用于肖特基晶体管(如74S系列逻辑芯片)。
Baker钳位电路
使用二极管和电阻网络控制基极驱动电流,动态调节基极注入电荷量,确保集电结始终处于微导通状态。相比肖特基钳位,Baker钳位在高频电路中损耗更低。
有源抗饱和电路
通过反馈环路监测集电极电压,实时调整基极驱动电流(如某些IGBT驱动芯片的设计)。
Desaturation通常指主动检测并退出饱和状态(如IGBT保护电路),而Antisaturation是预防性设计。
部分文献将肖特基钳位二极管直接称为抗饱和二极管(如ON Semiconductor的BJT手册)。
参考资料:
“antisaturation”是一个技术术语,通常用于工程或电子领域,其核心含义是防止或减少系统、设备或信号进入饱和状态。以下是详细解释:
“antisaturation”指通过特定设计或机制,避免信号、电路或系统因输入过强而进入非线性或失真的饱和区域。例如:
可能包括限幅电路、动态增益控制、反馈调节等。例如,某些芯片的“antisaturation feature”会监测输入信号强度,并自动降低增益以保持线性输出。
该词属于专业术语,日常使用较少,需结合上下文理解具体技术细节。如需进一步了解应用案例,可参考电子工程或信号处理领域的文献。
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