
n. 抗飽和
antisaturation(抗飽和)是電子工程領域的專業術語,特指在晶體管電路(尤其是雙極結型晶體管,BJT)中,為防止晶體管進入深度飽和狀态而采取的技術手段。其核心原理是通過限制基極電流或增加集電極-發射極電壓,确保晶體管在開關工作模式下能快速退出飽和區,從而提升開關速度和響應性能。以下是詳細解釋:
晶體管飽和狀态指集電極電流達到最大值且不再受基極電流控制的狀态。深度飽和會導緻關斷延遲(存儲時間延長),因為需要額外時間清除基區存儲的電荷。Antisaturation 通過以下方式解決該問題:
常見抗飽和技術包括:
肖特基鉗位(Schottky Clamping)
在BJT的基極-集電極間并聯肖特基二極管。當集電極電壓降至低于基極電壓時,二極管導通,将集電結電壓鉗位在約0.3–0.4V,阻止晶體管進入深度飽和。該技術廣泛應用于肖特基晶體管(如74S系列邏輯芯片)。
Baker鉗位電路
使用二極管和電阻網絡控制基極驅動電流,動态調節基極注入電荷量,确保集電結始終處于微導通狀态。相比肖特基鉗位,Baker鉗位在高頻電路中損耗更低。
有源抗飽和電路
通過反饋環路監測集電極電壓,實時調整基極驅動電流(如某些IGBT驅動芯片的設計)。
Desaturation通常指主動檢測并退出飽和狀态(如IGBT保護電路),而Antisaturation是預防性設計。
部分文獻将肖特基鉗位二極管直接稱為抗飽和二極管(如ON Semiconductor的BJT手冊)。
參考資料:
“antisaturation”是一個技術術語,通常用于工程或電子領域,其核心含義是防止或減少系統、設備或信號進入飽和狀态。以下是詳細解釋:
“antisaturation”指通過特定設計或機制,避免信號、電路或系統因輸入過強而進入非線性或失真的飽和區域。例如:
可能包括限幅電路、動态增益控制、反饋調節等。例如,某些芯片的“antisaturation feature”會監測輸入信號強度,并自動降低增益以保持線性輸出。
該詞屬于專業術語,日常使用較少,需結合上下文理解具體技術細節。如需進一步了解應用案例,可參考電子工程或信號處理領域的文獻。
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