單逃逸峰英文解釋翻譯、單逃逸峰的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 single escape peak

分詞翻譯：

單的英語翻譯：

odd; single
【醫】 azygos; mon-; mono-; uni-

逃逸峰的英語翻譯：

【化】 escape peak

專業解析

在漢英詞典框架下，"單逃逸峰"對應的英文術語為Single Escape Peak，指粒子物理或光譜分析中因能量二次轉移産生的次級信號峰。該現象常見于伽馬射線探測場景，當高能光子與探測器物質相互作用時，部分能量通過康普頓散射逃逸，形成區别于主峰的特征能量峰值。

根據美國國家标準與技術研究院（NIST）發布的《輻射探測與測量原理》，單逃逸峰的位置可通過公式計算： $$ Delta E = E{gamma} - 511 text{keV} $$ 其中$E{gamma}$為入射伽馬射線能量，511 keV對應正負電子對的靜止質量能。該公式解釋了逃逸峰與主峰的能量差恒定特性。

在實際應用中，日本高能加速器研究機構（KEK）的粒子探測器标定手冊指出，單逃逸峰可作為能量刻度的重要參照，尤其在鍺半導體探測器中具有可重複觀測性。其強度通常為主峰的0.5%-3%，具體比例取決于探測器幾何尺寸和入射光子能量。

網絡擴展解釋

單逃逸峰（Single Escape Peak）是核物理或X射線能譜分析中的術語，指在能譜圖上因能量逃逸現象形成的次級峰。以下是詳細解釋：

1.定義與形成機制

當高能X射線或γ射線進入探測器（如矽探測器）時，若其能量超過探測器材料的吸收限（例如矽的K吸收限約1.74 keV），可能發生以下過程：

特征X射線激發：探測器材料（如矽）被入射光子激發，發射自身特征X射線（如矽的Ka線能量約1.74 keV）。
能量逃逸：部分特征X射線未被探測器記錄，導緻入射光子的總能量損失這一部分能量，形成主峰（全能峰）和一個能量較低的逃逸峰。

2.單逃逸峰與雙逃逸峰的區别

單逃逸峰：僅損失一個特征X射線光子的能量（例如1.74 keV），表現為與主峰能量差為$E{text{主峰}} - E{text{逃逸峰}} = 1.74 text{keV}$。
雙逃逸峰：損失兩個特征X射線光子的能量，能量差加倍（例如3.48 keV）。這種現象通常與電子對效應相關，如高能γ射線産生正負電子對後湮滅，損失兩個0.511 MeV光子的能量。

3.實驗意義

能量轉化證明：單/雙逃逸峰的存在是能量轉化為物質（如正負電子對）的間接證據。
能譜分析輔助：通過逃逸峰的位置可驗證探測器材料特性，并輔助校準能譜儀的能量分辨率。

4.實際應用示例

在矽探測器測得的γ能譜中，若主峰對應能量為1.332 MeV（如钴-60的γ射線），單逃逸峰可能出現在$1.332 text{MeV} - 1.74 text{keV}$附近，而雙逃逸峰則接近$1.332 text{MeV} - 2 times 1.74 text{keV}$。

以上内容綜合了探測器物理機制和實驗現象，詳細信息可參考核物理教材或專業能譜分析文獻。