单逃逸峰英文解释翻译、单逃逸峰的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 single escape peak

分词翻译：

单的英语翻译：

odd; single
【医】 azygos; mon-; mono-; uni-

逃逸峰的英语翻译：

【化】 escape peak

专业解析

在汉英词典框架下，"单逃逸峰"对应的英文术语为Single Escape Peak，指粒子物理或光谱分析中因能量二次转移产生的次级信号峰。该现象常见于伽马射线探测场景，当高能光子与探测器物质相互作用时，部分能量通过康普顿散射逃逸，形成区别于主峰的特征能量峰值。

根据美国国家标准与技术研究院（NIST）发布的《辐射探测与测量原理》，单逃逸峰的位置可通过公式计算： $$ Delta E = E{gamma} - 511 text{keV} $$ 其中$E{gamma}$为入射伽马射线能量，511 keV对应正负电子对的静止质量能。该公式解释了逃逸峰与主峰的能量差恒定特性。

在实际应用中，日本高能加速器研究机构（KEK）的粒子探测器标定手册指出，单逃逸峰可作为能量刻度的重要参照，尤其在锗半导体探测器中具有可重复观测性。其强度通常为主峰的0.5%-3%，具体比例取决于探测器几何尺寸和入射光子能量。

网络扩展解释

单逃逸峰（Single Escape Peak）是核物理或X射线能谱分析中的术语，指在能谱图上因能量逃逸现象形成的次级峰。以下是详细解释：

1.定义与形成机制

当高能X射线或γ射线进入探测器（如硅探测器）时，若其能量超过探测器材料的吸收限（例如硅的K吸收限约1.74 keV），可能发生以下过程：

特征X射线激发：探测器材料（如硅）被入射光子激发，发射自身特征X射线（如硅的Ka线能量约1.74 keV）。
能量逃逸：部分特征X射线未被探测器记录，导致入射光子的总能量损失这一部分能量，形成主峰（全能峰）和一个能量较低的逃逸峰。

2.单逃逸峰与双逃逸峰的区别

单逃逸峰：仅损失一个特征X射线光子的能量（例如1.74 keV），表现为与主峰能量差为$E{text{主峰}} - E{text{逃逸峰}} = 1.74 text{keV}$。
双逃逸峰：损失两个特征X射线光子的能量，能量差加倍（例如3.48 keV）。这种现象通常与电子对效应相关，如高能γ射线产生正负电子对后湮灭，损失两个0.511 MeV光子的能量。

3.实验意义

能量转化证明：单/双逃逸峰的存在是能量转化为物质（如正负电子对）的间接证据。
能谱分析辅助：通过逃逸峰的位置可验证探测器材料特性，并辅助校准能谱仪的能量分辨率。

4.实际应用示例

在硅探测器测得的γ能谱中，若主峰对应能量为1.332 MeV（如钴-60的γ射线），单逃逸峰可能出现在$1.332 text{MeV} - 1.74 text{keV}$附近，而双逃逸峰则接近$1.332 text{MeV} - 2 times 1.74 text{keV}$。

以上内容综合了探测器物理机制和实验现象，详细信息可参考核物理教材或专业能谱分析文献。