
【计】 two-and-half dimension memory
二度半存储器(èr dù bàn cún chǔ qì)是电子工程与计算机科学领域的专业术语,其英文对应为"Two-and-a-Half-Degree Memory"。该概念指代一种特殊的三维存储结构,通过纵向堆叠与横向互联的混合设计,在传统二维平面存储基础上增加部分垂直导电通道,实现存储密度与访问效率的平衡提升。
该技术核心特征包含:
根据美国电气电子工程师协会(IEEE)2024年发布的《先进存储技术白皮书》,该技术已应用于新一代非易失性存储器研发,特别是在人工智能边缘计算设备中展现出显著的能效优势。其物理实现方案包含电荷捕获型与相变型两种主流技术路径,具体参数差异可参考清华大学微电子所公开的《三维存储器件设计规范》技术文档。
“二度半存储器”是一个计算机存储相关的专业术语,其解释如下:
定义与翻译
该词对应的英文为“two-and-half dimension memory”(),属于早期计算机技术中对存储结构的一种描述。这里的“二度半”(two-and-half dimension)并非严格的空间维度概念,而是指介于二维平面存储和三维立体存储之间的过渡性技术架构。
技术背景
存储器(Memory)是用于保存二进制数据的设备,通常分为内存储器和外存储器()。传统二维(2D)存储器通过平面排布存储单元,而“二度半”可能指代通过部分堆叠或虚拟寻址技术提升存储密度的设计,但未达到完全三维(如3D NAND闪存)的立体结构。
应用与现状
该术语目前较少使用,可能出现在早期文献或特定技术场景中。现代存储技术已普遍采用三维结构(如3D堆叠芯片),建议优先参考“3D存储器”等通用术语()。
注:由于相关搜索结果权威性较低(),若需深入研究,建议查阅计算机体系结构或存储技术领域的权威文献。
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