英语翻译：

【计】 three-dimensional memory

分词翻译：

三的英语翻译：

three; several; many
【计】 tri
【化】 trimethano-; trimethoxy
【医】 tri-

维的英语翻译：

dimension; maintain; preserve; thought; tie up
【化】 dimension

存储器的英语翻译：

storage; store
【计】 M; memorizer; S

专业解析

三维存储器（3D Memory）是一种通过垂直堆叠存储单元实现高密度数据存储的半导体技术。从汉英词典角度解析，该术语对应英文"Three-dimensional Memory"，核心特征在于突破传统平面结构，采用多层立体布局提升存储容量与能效比。

从技术实现层面，三维存储器主要分为两类：

1. 3D NAND闪存：通过电荷捕获层堆叠技术，将存储单元垂直排列，单颗芯片可集成超过200层存储结构（来源：《IEEE电子器件汇刊》技术标准文档）；
2. 3D DRAM：采用硅通孔(TSV)技术实现存储单元的三维集成，较传统2D结构带宽提升3-5倍（来源：JEDEC固态技术协会白皮书）。

该技术的关键优势体现在：

• 存储密度提升：单位面积存储容量较平面结构增加8-10倍
• 功耗降低：数据传输路径缩短使能效比提高约40%
• 成本优势：垂直扩展避免制程微缩的物理极限

当前主流应用领域涵盖云计算数据中心（来源：IDC全球存储市场分析报告）、人工智能加速器（来源：ISSCC国际固态电路会议资料）和移动终端设备。值得注意的技术演进方向包括混合键合技术（Hybrid Bonding）在存储-逻辑层三维集成中的应用（来源：《自然·电子学》研究论文）。

网络扩展解释

三维存储器（3D Memory）是一种通过垂直堆叠存储单元实现高密度数据存储的半导体器件，其核心特点在于突破了传统平面存储器的物理限制。以下是详细解析：

1.基本结构与原理

• 垂直堆叠结构：通过交替层叠导电层和绝缘层形成三维阵列，例如网页提到堆叠结构包含核心区（存储单元）和阶梯区（连接线路），沟道孔垂直贯穿各层形成存储串。
• 单元互联方式：每个存储单元通过沟道孔中的半导体通道连接，如网页描述沟道柱贯穿堆叠层并与上下存储阵列电连接，实现数据读写。

2.技术优势

• 高集成度：单位面积内存储容量显著提升，网页和网页均指出其可堆叠32层以上，远超平面存储器的扩展极限。
• 成本与能耗降低：由于垂直空间利用效率高，单位存储成本下降约30%-50%，同时减少芯片面积带来的能耗优化（网页、网页）。

3.关键技术挑战

• 深孔刻蚀工艺：随着堆叠层数增加，一次性形成贯穿沟道孔的难度加大，需采用子沟道孔叠加技术（网页）。
• 结构稳定性：高堆叠层数可能导致层间变形，需引入虚拟沟道孔作为支撑结构（网页）。

4.典型应用与发展

• 主流产品：3D NAND闪存是典型代表，广泛应用于固态硬盘（SSD）、移动设备等。
• 技术趋势：目前量产层数已达200层以上，未来目标向500层堆叠发展，进一步提升存储密度（综合网页、网页）。

5.与平面存储器的区别

• 结构维度：传统存储器为二维排布，而三维存储器利用Z轴空间，形成立体阵列。
• 性能对比：相同工艺下，3D存储器的单位容量理论值可提升至平面结构的数十倍（网页、网页）。

如需更详细的技术流程或学术文献，中提到的知网相关研究。

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