英語翻譯：

【計】 three-dimensional memory

分詞翻譯：

三的英語翻譯：

three; several; many
【計】 tri
【化】 trimethano-; trimethoxy
【醫】 tri-

維的英語翻譯：

dimension; maintain; preserve; thought; tie up
【化】 dimension

存儲器的英語翻譯：

storage; store
【計】 M; memorizer; S

專業解析

三維存儲器（3D Memory）是一種通過垂直堆疊存儲單元實現高密度數據存儲的半導體技術。從漢英詞典角度解析，該術語對應英文"Three-dimensional Memory"，核心特征在于突破傳統平面結構，采用多層立體布局提升存儲容量與能效比。

從技術實現層面，三維存儲器主要分為兩類：

1. 3D NAND閃存：通過電荷捕獲層堆疊技術，将存儲單元垂直排列，單顆芯片可集成超過200層存儲結構（來源：《IEEE電子器件彙刊》技術标準文檔）；
2. 3D DRAM：采用矽通孔(TSV)技術實現存儲單元的三維集成，較傳統2D結構帶寬提升3-5倍（來源：JEDEC固态技術協會白皮書）。

該技術的關鍵優勢體現在：

• 存儲密度提升：單位面積存儲容量較平面結構增加8-10倍
• 功耗降低：數據傳輸路徑縮短使能效比提高約40%
• 成本優勢：垂直擴展避免制程微縮的物理極限

當前主流應用領域涵蓋雲計算數據中心（來源：IDC全球存儲市場分析報告）、人工智能加速器（來源：ISSCC國際固态電路會議資料）和移動終端設備。值得注意的技術演進方向包括混合鍵合技術（Hybrid Bonding）在存儲-邏輯層三維集成中的應用（來源：《自然·電子學》研究論文）。

網絡擴展解釋

三維存儲器（3D Memory）是一種通過垂直堆疊存儲單元實現高密度數據存儲的半導體器件，其核心特點在于突破了傳統平面存儲器的物理限制。以下是詳細解析：

1.基本結構與原理

• 垂直堆疊結構：通過交替層疊導電層和絕緣層形成三維陣列，例如網頁提到堆疊結構包含核心區（存儲單元）和階梯區（連接線路），溝道孔垂直貫穿各層形成存儲串。
• 單元互聯方式：每個存儲單元通過溝道孔中的半導體通道連接，如網頁描述溝道柱貫穿堆疊層并與上下存儲陣列電連接，實現數據讀寫。

2.技術優勢

• 高集成度：單位面積内存儲容量顯著提升，網頁和網頁均指出其可堆疊32層以上，遠超平面存儲器的擴展極限。
• 成本與能耗降低：由于垂直空間利用效率高，單位存儲成本下降約30%-50%，同時減少芯片面積帶來的能耗優化（網頁、網頁）。

3.關鍵技術挑戰

• 深孔刻蝕工藝：隨着堆疊層數增加，一次性形成貫穿溝道孔的難度加大，需采用子溝道孔疊加技術（網頁）。
• 結構穩定性：高堆疊層數可能導緻層間變形，需引入虛拟溝道孔作為支撐結構（網頁）。

4.典型應用與發展

• 主流産品：3D NAND閃存是典型代表，廣泛應用于固态硬盤（SSD）、移動設備等。
• 技術趨勢：目前量産層數已達200層以上，未來目标向500層堆疊發展，進一步提升存儲密度（綜合網頁、網頁）。

5.與平面存儲器的區别

• 結構維度：傳統存儲器為二維排布，而三維存儲器利用Z軸空間，形成立體陣列。
• 性能對比：相同工藝下，3D存儲器的單位容量理論值可提升至平面結構的數十倍（網頁、網頁）。

如需更詳細的技術流程或學術文獻，中提到的知網相關研究。

分類

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