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doping level是什么意思，doping level的意思翻译、用法、同义词、例句

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常用词典

  • 掺杂级；掺杂度

    • 例句

  • The methods for increasing the doping level of bittern are proposed as well as the problems for…

    同时提出了提高掺卤量的方法和应注意的问题。

  • These devices have optical waveguide structure, moderate doping level and active layer thickness.

    该器件带有光波导结构并具有适当掺杂和有源层厚度。

  • The methods for increasing the doping level of bittern are proposed as well as the problems for attention.

    同时提出了提高掺卤量的方法和应注意的问题。

  • But too high thickness and doping level will do harm to the smoothness of film surface with doped impurity deteriorating the crystallization.

    但是薄膜厚度的增大和掺杂浓度的提高会恶化膜面的平整度，同时过量的掺杂也会影响薄膜的结晶性能。

  • It is indicated that the boron doping promotes the growth of (111) face of the diamonds, enhances acceptor level, narrow 's band gap and increases carrier concentration correspondingly.

    其原因是硼元素的掺入促进了金刚石单晶的(111)晶面生长，使受主能级提高，晶体的带隙变窄，载流子浓度提高。

    • 专业解析

    doping level（掺杂浓度）是半导体物理学和电子工程中的核心概念，指在纯净的本征半导体材料（如硅、锗）中有意掺入特定杂质原子的浓度。这些杂质原子通过提供额外的自由电子或空穴，显著改变半导体的电学性质，使其成为制造晶体管、二极管等电子器件的关键基础。其详细含义与技术要点如下：

    一、定义与物理意义

    1. 浓度定义

      doping level 表示单位体积半导体中掺入的杂质原子数量，单位为cm⁻³（每立方厘米）。例如，轻掺杂可能为 10¹⁵ cm⁻³，而重掺杂可达 10²⁰ cm⁻³以上。

    2. 导电性调控原理

      • N型掺杂：掺入磷（P）、砷（As）等V族元素，提供自由电子，形成多数载流子为电子的半导体。
      • P型掺杂：掺入硼（B）、镓（Ga）等III族元素，提供空穴（等效正电荷），形成多数载流子为空穴的半导体。

        掺杂浓度直接决定半导体的载流子浓度（自由电子或空穴密度），进而影响电阻率、导电能力等特性。

    二、技术影响与器件应用

    1. 载流子浓度关系

      在完全电离条件下，载流子浓度 ( n )（电子）或 ( p )（空穴）近似等于掺杂浓度 ( N_d )（施主杂质）或 ( N_a )（受主杂质）：

      $$ n approx N_d quad (text{N型}) p approx N_a quad (text{P型}) $$

    2. 费米能级位置

      掺杂浓度升高会推动费米能级 ( E_F ) 靠近导带（N型）或价带（P型），直接影响半导体的能带结构和载流子分布。

    3. 器件设计关键参数

      • PN结：掺杂浓度梯度决定耗尽层宽度与击穿电压。
      • MOSFET晶体管：沟道掺杂浓度影响阈值电压和开关速度。
      • 太阳能电池：掺杂优化可提升载流子收集效率。

    三、掺杂浓度的测量与调控

    1. 测量方法

      • 四探针法：通过电阻率反算掺杂浓度。
      • 二次离子质谱（SIMS）：直接分析杂质原子分布。
      • 电容-电压（C-V）测试：用于结型器件掺杂剖面分析。

    2. 工艺控制

      在半导体制造中，通过离子注入或扩散工艺精确控制掺杂浓度，误差需小于±5%以满足纳米级器件需求。

    四、典型应用场景的浓度范围

    器件类型 掺杂浓度范围 (cm⁻³) 作用
    集成电路衬底 10¹⁴–10¹⁶ 控制漏电流
    MOSFET沟道 10¹⁶–10¹⁸ 设定阈值电压
    太阳能电池发射极 10¹⁹–10²¹ 优化光生载流子收集
    隧道二极管 >10²⁰ 实现量子隧穿效应

    权威参考文献来源：

    1. Pierret, R. F. Semiconductor Device Fundamentals. Addison-Wesley. （半导体掺杂基础理论）
    2. Sze, S. M., & Ng, K. K. Physics of Semiconductor Devices. Wiley. （器件物理与掺杂应用）
    3. Jaeger, R. C., & Blalock, T. N. Microelectronic Circuit Design. McGraw-Hill. （掺杂工艺与测量技术）

    网络扩展资料

    “doping level” 是一个多领域术语，具体含义需结合上下文：

    一、材料科学/半导体领域（主要含义）

    doping level 指半导体材料中掺杂剂的浓度或程度，即通过添加特定杂质（如硼、磷）来调控材料的电学性质。例如：

    二、体育领域（次要含义）

    在体育禁药相关语境中，doping level 可能指运动员体内兴奋剂含量的检测水平。例如：

    补充说明

    建议根据实际使用场景选择对应解释。

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