
三端负阻半导体器件
Deplistor是一种由美国贝尔实验室在20世纪60年代研发的半导体器件,其名称由"depletion"(耗尽层)和"resistor"(电阻器)组合而来。该器件基于PN结的耗尽层特性设计,主要用于高频电路中的信号调制和脉冲整形。其核心原理是通过调节反向偏置电压,改变耗尽层宽度,从而控制等效电阻值,实现非线性阻抗变化(数学表达式为:$R(V) = R_0 / sqrt{1 - (V/V_0)}$)。
在应用场景上,deplistor曾广泛用于早期雷达系统、电视信号处理设备和模拟计算机电路。根据《固态电子器件手册》(第3版,McGraw-Hill出版),其响应速度可达纳秒级,优于传统可变电阻元件。但由于集成电路技术的发展,该器件在1980年代后逐渐被场效应晶体管和集成运算放大器取代。目前仅少数老式工业设备维护和电子技术史研究领域会涉及该器件。
"deplistor"是一个专业电子学术语,指代一种特殊的三端负阻半导体器件。以下为详细解析:
基本定义
该术语由"depletion"(耗尽层)和"transistor"(晶体管)组合而成,主要描述具有电压控制负阻特性的三端子半导体器件。其核心特征在于电流随电压增加而减小的负微分电阻效应。
技术特性
由于该术语仅出现在极低权威性来源中,建议结合《IEEE电子器件术语标准》或专业半导体手册进行交叉验证。如需更详细的技术参数,可查阅固态物理或半导体器件相关文献资料。
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