dopant是什麼意思，dopant的意思翻譯、用法、同義詞、例句
dopant英标
英:/''dəʊpənt/
常用詞典
n. 摻雜物；攙雜劑
例句
Optimizing dopant diffusion processes.
如何優化摻雜擴散制程。
The silicon carbon layer is exposed to a dopant.
将矽碳層暴露給摻 雜物。
Uses: As an activator of phosphor and dopant of garnet.
用途：用于熒光粉的活化劑和柘榴石的添加劑。
The implanted dopant has a first dopant profile in the silicon layer.
所注入的摻雜劑在矽層中具有第一摻雜劑分布。
The dopant blocking superlattice may include a plurality of stacked groups of layers.
該摻雜劑阻擋超晶格可以包括多個層疊的層組。
同義詞
n.|*****erant;[材]摻雜物；攙雜劑
專業解析
dopant（摻雜劑）是半導體材料科學和電子工程領域中的一個核心術語，指在純淨的本征半導體（如矽或鍺）中，為了精确調控其電學性能而有意添加的微量外來原子。這些添加的原子濃度通常非常低（百萬分之一數量級），但其作用至關重要，它們改變了半導體的導電類型和導電能力。
核心作用與機制：
摻雜劑原子的關鍵作用在于它們能夠向半導體晶格提供額外的自由電荷載流子（電子或空穴）。摻雜劑原子取代了半導體晶格中的原子位置，但由于其價電子數與主體半導體原子不同，會在禁帶中引入新的能級：
- 提供自由電子 (n型摻雜)： 當摻雜劑原子（如磷、砷、銻）的價電子數比主體半導體原子（矽有4個價電子）多一個時，這個額外的電子很容易脫離原子核束縛成為自由電子。這種摻雜劑稱為施主雜質，形成的半導體稱為n型半導體，主要靠電子導電。
- 提供自由空穴 (p型摻雜)： 當摻雜劑原子（如硼、鋁、镓）的價電子數比主體半導體原子少一個時，會在價帶中産生一個空位（空穴），鄰近的電子可以移動過來填補，相當于空穴在移動。這種摻雜劑稱為受主雜質，形成的半導體稱為p型半導體，主要靠空穴導電。
常見類型與材料：
- n型摻雜劑 (施主雜質)： 常用元素包括磷 (P)、砷 (As)、銻 (Sb)。它們常用于矽 (Si) 的摻雜。
- p型摻雜劑 (受主雜質)： 常用元素包括硼 (B)、鋁 (Al)、镓 (Ga)、铟 (In)。硼是最常用的矽 p 型摻雜劑。
應用領域：
摻雜是制造所有現代電子器件（二極管、晶體管、集成電路芯片、太陽能電池等）的基礎工藝。通過精确控制摻雜劑的類型、濃度和分布區域，工程師可以設計出具有特定導電特性（如 p-n 結）的半導體結構，實現整流、放大、開關等電子功能。可以說，沒有摻雜，就沒有現代電子工業。
權威參考來源：
- 國際純粹與應用化學聯合會 (IUPAC) 在其權威的《化學術語綱要》（Gold Book）中将摻雜劑定義為“一種物質，以痕量濃度摻入到另一種物質（稱為基質）中，以改變基質的性質”。 查看定義
- 電氣和電子工程師協會 (IEEE) 在其《半導體制造術語标準》中詳細闡述了摻雜工藝及其在器件制造中的關鍵作用。 了解标準 (需訂閱訪問詳細内容，标準號 IEEE 1620-2008)。
- 麻省理工學院開放課程 (MIT OpenCourseWare) 在其微電子器件與電路課程材料中，深入講解了摻雜的原理及其對半導體能帶結構和電導率的影響。 學習課程資料 (搜索“doping”相關内容)。
- 《半導體器件物理與工藝》(Physics of Semiconductor Devices, S.M. Sze) 這本經典教材詳細論述了摻雜劑類型、能級、載流子濃度計算及其對器件性能的影響。 查閱書籍信息 (Wiley出版社)。
網絡擴展資料
Dopant（摻雜劑）指在材料中人為添加的微量雜質元素，用于改變原材料的物理或化學性質，尤其在半導體和電子器件中具有重要作用。以下是詳細解釋：
1.定義與核心作用
- 基本含義：Dopant 是通過向純淨材料（如半導體）中摻入少量其他物質，以調整其導電性或其他性能的添加劑。
- 詞源與發音：音标為英式/ˈdəʊpənt/，美式/ˈdoʊpənt/，源自“dope”（摻雜）一詞的變體。
2.應用領域
- 半導體技術：例如，向矽中添加硼（B）或磷（P）可分别形成P型或N型半導體，改變其導電類型。
- 光電器件：在太陽能電池中，摻雜劑濃度直接影響光電轉換效率；在OLED中，摻雜劑（如熒光染料）可調控發光顔色。
- 其他材料：還可用于熒光粉激活劑、石榴石摻雜等場景。
3.作用機制
- 通過改變材料的能帶結構或載流子濃度，增強導電性、發光效率等特性。
- 例如，半導體中摻雜劑原子會提供多餘電子（如磷）或空穴（如硼），形成自由電荷載流子。
4.常見類型與示例
- N型摻雜劑：磷（P）、砷（As）等，提供自由電子。
- P型摻雜劑：硼（B）、鋁（Al）等，形成空穴導電。
5.補充說明
- 濃度要求：摻雜量通常極低（如百萬分之一級别），過量會導緻性能劣化。
- 相關術語：摻雜過程稱為“doping”，而“dopant”特指所添加的物質。
如需進一步了解技術細節或具體應用案例，可參考半導體物理或材料科學相關文獻。
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