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thermal annealing是什么意思,thermal annealing的意思翻译、用法、同义词、例句

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常用词典

  • 加温退火;热处理(退火)

  • 例句

  • The influence of thermal annealing on DKDP crystals grown at different rates was stu***d.

    分别对不同生长速度的DK DP 晶体进行了退火处理。

  • After thermal annealing about 60% of radiation damage induced by implantation can be restored.

    在热退火后,约60%的注入引起的辐射损伤可以得到恢复。

  • At last, the effect of rapid thermal annealing on the electrical properties of HEMT material is stu***d.

    最后我们研究了快速退火对HEMT材料电学性能的影响。

  • They can be passivated with hydrogen plasma annealing and reactivated by subsequent thermal annealing in vacuum.

    氢等离子体退火对电活性的位错态有显著的钝化作用。

  • The results indicate that the pyrochlore phase was restrained successfully by layer-by-layer rapid thermal annealing method.

    实验结果表明,逐层快速退火工艺可有效抑制焦绿石相的形成;

  • 同义词

  • |thermal treatment/thermal processing;加温退火;热处理(退火)

  • 专业解析

    thermal annealing(热退火) 是一种通过控制加热和冷却过程来改变材料内部结构的热处理工艺,主要应用于冶金和半导体制造领域。其核心目的是消除材料内部缺陷、降低内应力、改善电学性能或恢复晶体结构完整性。

    一、冶金领域的应用

    在金属加工中,热退火通过将材料加热到特定温度(通常低于熔点),保温后缓慢冷却,实现以下效果:

    1. 消除加工硬化:冷加工会导致金属晶格畸变,退火通过再结晶过程使晶粒重新排列,恢复延展性。
    2. 降低内应力:高温下原子扩散能力增强,可释放因焊接、铸造等产生的残余应力,防止工件变形或开裂。
    3. 改善机械性能:例如中低碳钢经退火后硬度降低,便于后续切削加工(参考:《材料科学与工程基础》,William D. Callister)。

    二、半导体制造的关键工艺

    在集成电路生产中,热退火用于修复离子注入后的晶格损伤:

    1. 激活掺杂剂:硅片中注入的硼、磷等杂质原子,需经高温(800–1000°C)退火使其占据晶格位置,形成有效导电区域。
    2. 修复晶格缺陷:快速热退火(RTA)技术可在数秒内完成,减少杂质扩散,提升器件性能(参考:《硅超大规模集成电路工艺技术》,James D. Plummer)。

    三、微观机制与参数控制

    退火效果取决于三个核心参数:

    四、典型应用场景


    文献来源

    1. Callister, W. D. Materials Science and Engineering: An Introduction. Wiley.
    2. Plummer, J. D. Silicon VLSI Technology. Prentice Hall.
    3. Lee, J. et al. (2012). "Thermal annealing effects on ZnSe quantum dots". Acta Materialia.

    网络扩展资料

    Thermal Annealing(热退火) 是一种通过加热材料并控制冷却过程以改善其性能的热处理技术,主要应用于材料科学和半导体制造领域。以下是详细解释:

    1. 定义与核心作用
      Thermal Annealing 指在高温环境下对材料(如金属、玻璃、半导体硅片等)进行加热并保持一定时间,随后缓慢冷却的过程。其核心目的是通过调整材料的微观结构,消除内部缺陷(如晶格畸变、位错),从而提升材料的电学、机械或热稳定性。

    2. 关键参数

      • 温度:通常接近材料的再结晶温度,但低于熔点(例如半导体工艺中常用 500°C–1100°C)。
      • 时间:加热时长直接影响原子扩散程度,时间越长,热预算(Thermal Budget)越高。
      • 冷却速率:缓慢冷却有助于形成稳定结构,快速冷却可能用于特定工艺(如快速热退火,Rapid Thermal Annealing)。
    3. 应用领域

      • 半导体制造:修复离子注入后的晶格损伤,激活掺杂原子,优化硅片的导电性能。
      • 金属加工:消除冷加工产生的内应力,提高延展性(如钢材退火)。
      • 玻璃工业:减少内部应力,防止破裂。
    4. 相关术语扩展

      • Spheroidizing Annealing(球化退火):用于钢材,使碳化物球化以改善切削性。
      • Bright Annealing(光亮退火):在保护气氛中进行,防止材料氧化。

    若需了解具体工艺参数或不同材料的退火差异,可参考半导体制造或材料工程的专业文献。

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