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thermal annealing是什麼意思，thermal annealing的意思翻譯、用法、同義詞、例句

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常用詞典

  • 加溫退火；熱處理（退火）

    • 例句

  • The influence of thermal annealing on DKDP crystals grown at different rates was stu***d.

    分别對不同生長速度的DK DP 晶體進行了退火處理。

  • After thermal annealing about 60% of radiation damage induced by implantation can be restored.

    在熱退火後，約60%的注入引起的輻射損傷可以得到恢複。

  • At last, the effect of rapid thermal annealing on the electrical properties of HEMT material is stu***d.

    最後我們研究了快速退火對HEMT材料電學性能的影響。

  • They can be passivated with hydrogen plasma annealing and reactivated by subsequent thermal annealing in vacuum.

    氫等離子體退火對電活性的位錯态有顯著的鈍化作用。

  • The results indicate that the pyrochlore phase was restrained successfully by layer-by-layer rapid thermal annealing method.

    實驗結果表明，逐層快速退火工藝可有效抑制焦綠石相的形成；

    • 同義詞

  • |thermal treatment/thermal processing;加溫退火；熱處理（退火）

    • 專業解析

    thermal annealing（熱退火） 是一種通過控制加熱和冷卻過程來改變材料内部結構的熱處理工藝，主要應用于冶金和半導體制造領域。其核心目的是消除材料内部缺陷、降低内應力、改善電學性能或恢複晶體結構完整性。

    一、冶金領域的應用

    在金屬加工中，熱退火通過将材料加熱到特定溫度（通常低于熔點），保溫後緩慢冷卻，實現以下效果：

    1. 消除加工硬化：冷加工會導緻金屬晶格畸變，退火通過再結晶過程使晶粒重新排列，恢複延展性。
    2. 降低内應力：高溫下原子擴散能力增強，可釋放因焊接、鑄造等産生的殘餘應力，防止工件變形或開裂。
    3. 改善機械性能：例如中低碳鋼經退火後硬度降低，便于後續切削加工（參考：《材料科學與工程基礎》，William D. Callister）。

    二、半導體制造的關鍵工藝

    在集成電路生産中，熱退火用于修複離子注入後的晶格損傷：

    1. 激活摻雜劑：矽片中注入的硼、磷等雜質原子，需經高溫（800–1000°C）退火使其占據晶格位置，形成有效導電區域。
    2. 修複晶格缺陷：快速熱退火（RTA）技術可在數秒内完成，減少雜質擴散，提升器件性能（參考：《矽超大規模集成電路工藝技術》，James D. Plummer）。

    三、微觀機制與參數控制

    退火效果取決于三個核心參數：

    四、典型應用場景

    文獻來源

    1. Callister, W. D. Materials Science and Engineering: An Introduction. Wiley.
    2. Plummer, J. D. Silicon VLSI Technology. Prentice Hall.
    3. Lee, J. et al. (2012). "Thermal annealing effects on ZnSe quantum dots". Acta Materialia.

    網絡擴展資料

    Thermal Annealing（熱退火） 是一種通過加熱材料并控制冷卻過程以改善其性能的熱處理技術，主要應用于材料科學和半導體制造領域。以下是詳細解釋：

    1. 定義與核心作用
      Thermal Annealing 指在高溫環境下對材料（如金屬、玻璃、半導體矽片等）進行加熱并保持一定時間，隨後緩慢冷卻的過程。其核心目的是通過調整材料的微觀結構，消除内部缺陷（如晶格畸變、位錯），從而提升材料的電學、機械或熱穩定性。

    2. 關鍵參數

      • 溫度：通常接近材料的再結晶溫度，但低于熔點（例如半導體工藝中常用 500°C–1100°C）。
      • 時間：加熱時長直接影響原子擴散程度，時間越長，熱預算（Thermal Budget）越高。
      • 冷卻速率：緩慢冷卻有助于形成穩定結構，快速冷卻可能用于特定工藝（如快速熱退火，Rapid Thermal Annealing）。

    3. 應用領域

      • 半導體制造：修複離子注入後的晶格損傷，激活摻雜原子，優化矽片的導電性能。
      • 金屬加工：消除冷加工産生的内應力，提高延展性（如鋼材退火）。
      • 玻璃工業：減少内部應力，防止破裂。

    4. 相關術語擴展

      • Spheroidizing Annealing（球化退火）：用于鋼材，使碳化物球化以改善切削性。
      • Bright Annealing（光亮退火）：在保護氣氛中進行，防止材料氧化。

    若需了解具體工藝參數或不同材料的退火差異，可參考半導體制造或材料工程的專業文獻。

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