功耗；功率损耗
Contact heating is caused by I2R power dissipation.
接触发热是由于I2R功耗引起的。
The maximum output current is limited by power dissipation.
最大输出电流受到额定功耗的限制。
The design scheme of CAN bus instrument in exceed low power dissipation is introduced.
介绍了CAN总线仪表在超低功耗时的设计方案。
Its power dissipation and propagation delay time are a tradeoff of the two comparators.
其功耗和传输延迟时间介于两种比较器之间。
Features: high DC current gain, low saturation voltage, high col lector power dissipation.
特点：高直流电增益，饱和压降低，高集电极。
|power loss;功耗；[电子]功率损耗
功率耗散（Power Dissipation）指电子元件或电路在工作过程中将电能转化为热能的现象。这种能量转换不可逆，是电阻性元件（如电阻器、晶体管、集成电路）的固有特性，由电流流经非理想导体时产生的焦耳热引起。其核心原理遵循焦耳定律：$$P = I times R$$ 或 $$P = V times I$$，其中 (P) 为耗散功率（单位：瓦特），(I) 为电流，(R) 为电阻，(V) 为电压。
热效应与效率损失
电能转化为热能会导致元件温度升高，需通过散热器或冷却系统管理温升。例如，CPU运行时约60%-95%的电能转化为热能，过高的功率耗散会降低系统效率，甚至引发热失效。
电路设计核心参数
工程师需精确计算功率耗散以选择元件额定功率（如电阻的1/4W、1/2W等级），避免过热损坏。功率MOSFET的数据手册中，"Power Dissipation"直接决定散热方案设计。
现代电子技术挑战
集成电路工艺微缩使单位面积功耗密度激增。5nm芯片的功耗密度可达100W/cm²以上，需通过动态电压调节（DVFS）和低功耗架构优化控制耗散。
参考来源：
（注：参考链接需访问对应机构官网检索文档）
Power Dissipation（功率耗散/功耗） 是电子工程和热力学中的核心概念，指设备运行过程中将电能转化为热能或其他形式能量而损耗的功率。以下是详细解释：
物理含义
指设备输入功率与输出功率的差值，即无效能量损耗。例如，晶体管工作时，部分电能会转化为热量而非有效输出，这种损耗称为功率耗散。
技术术语
在电子元件（如MOSFET、集成电路）中，常标注为“Power Dissipation”，表示元件在安全范围内可承受的最大功率损耗。
电子电路设计
降低功率耗散是优化电路性能的关键。例如，通过缩小元件尺寸可减少功耗和信号延迟。
热管理
高功率耗散会导致元件温度升高，影响稳定性。需通过散热设计（如散热片、风扇）控制温度。
动态功耗控制
数字电路中，时钟网络的动态功耗占总功耗较大比例，采用时钟闸控（Clock Gating）等技术可有效降低损耗。
如需进一步了解具体元件的功率耗散参数，可参考技术手册或专业文献。
amuletacademiciansapricusdodecylDresdenEiffelheartthrobmisconstrueTesscalamine lotionfair pricefinished leathergastric secretionJerusalem artichokeplatinum metalssleeping pilltourism industryaeolotropismalabastrineanthogenesisapocytebevatroncognoscibleconsolatoryenskyfadelessimpermanencymannosidostreptomycinlithecbolemacroexercise