
功耗;功率損耗
Contact heating is caused by I2R power dissipation.
接觸發熱是由于I2R功耗引起的。
The maximum output current is limited by power dissipation.
最大輸出電流受到額定功耗的限制。
The design scheme of CAN bus instrument in exceed low power dissipation is introduced.
介紹了CAN總線儀表在超低功耗時的設計方案。
Its power dissipation and propagation delay time are a tradeoff of the two comparators.
其功耗和傳輸延遲時間介于兩種比較器之間。
Features: high DC current gain, low saturation voltage, high col lector power dissipation.
特點:高直流電增益,飽和壓降低,高集電極。
|power loss;功耗;[電子]功率損耗
功率耗散(Power Dissipation)指電子元件或電路在工作過程中将電能轉化為熱能的現象。這種能量轉換不可逆,是電阻性元件(如電阻器、晶體管、集成電路)的固有特性,由電流流經非理想導體時産生的焦耳熱引起。其核心原理遵循焦耳定律:$$P = I times R$$ 或 $$P = V times I$$,其中 (P) 為耗散功率(單位:瓦特),(I) 為電流,(R) 為電阻,(V) 為電壓。
熱效應與效率損失
電能轉化為熱能會導緻元件溫度升高,需通過散熱器或冷卻系統管理溫升。例如,CPU運行時約60%-95%的電能轉化為熱能,過高的功率耗散會降低系統效率,甚至引發熱失效。
電路設計核心參數
工程師需精确計算功率耗散以選擇元件額定功率(如電阻的1/4W、1/2W等級),避免過熱損壞。功率MOSFET的數據手冊中,"Power Dissipation"直接決定散熱方案設計。
現代電子技術挑戰
集成電路工藝微縮使單位面積功耗密度激增。5nm芯片的功耗密度可達100W/cm²以上,需通過動态電壓調節(DVFS)和低功耗架構優化控制耗散。
參考來源:
(注:參考鍊接需訪問對應機構官網檢索文檔)
Power Dissipation(功率耗散/功耗) 是電子工程和熱力學中的核心概念,指設備運行過程中将電能轉化為熱能或其他形式能量而損耗的功率。以下是詳細解釋:
物理含義
指設備輸入功率與輸出功率的差值,即無效能量損耗。例如,晶體管工作時,部分電能會轉化為熱量而非有效輸出,這種損耗稱為功率耗散。
技術術語
在電子元件(如MOSFET、集成電路)中,常标注為“Power Dissipation”,表示元件在安全範圍内可承受的最大功率損耗。
電子電路設計
降低功率耗散是優化電路性能的關鍵。例如,通過縮小元件尺寸可減少功耗和信號延遲。
熱管理
高功率耗散會導緻元件溫度升高,影響穩定性。需通過散熱設計(如散熱片、風扇)控制溫度。
動态功耗控制
數字電路中,時鐘網絡的動态功耗占總功耗較大比例,采用時鐘閘控(Clock Gating)等技術可有效降低損耗。
如需進一步了解具體元件的功率耗散參數,可參考技術手冊或專業文獻。
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