n. 场控晶体三极管；场效应晶体管；场控晶体管
n.|field-effect transistors/unipolar transistor;场控晶体三极管；场效应晶体管；场控晶体管
fieldistor（场控晶闸管）是电力电子领域的一种特殊半导体器件，其名称来源于“field-controlled thyristor”，结合了场效应晶体管（FET）的电压控制特性和晶闸管的功率处理能力。该器件通过施加电场控制主电流的通断，适用于高频、高压和大电流场景，例如高压直流输电和工业电机驱动系统。
根据IEEE Xplore数据库收录的研究，fieldistor的核心结构包含四层PNPN半导体材料，并在门极区域集成MOS栅极结构，这种设计使其兼具低驱动功耗（通常＜5mW）和高达10kV/1000A的承载能力。美国能源部2023年发布的《先进电力电子器件发展报告》指出，该器件在新能源并网变流器中的损耗比传统IGBT降低约30%。
“fieldistor”可能是一个拼写错误或非常罕见的术语，正确写法应为“field-effect transistor”（场效应晶体管，简称FET）。以下是详细解释：
核心概念
“field-effect transistor”（FET）是一种利用电场效应控制电流的半导体器件。名称中的“field”指通过栅极电压形成的电场，用于调节源极与漏极之间的导电通道。
结构与工作原理
FET由三个电极组成：源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。通过在栅极施加电压，产生电场改变通道的导电性，从而控制电流大小。
应用领域
FET广泛应用于集成电路、传感器（如提到的离子敏感场效应晶体管，用于检测溶液中离子浓度）、放大器等场景。
可能混淆点
普通词典中“field”一般指领域或物理场（如所述），但在电子学中特指电场效应。若需进一步了解FET的技术细节，建议参考电子工程专业资料。
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