离子注入英文解释翻译、离子注入的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 ion implantation
【化】 ion implantation

分词翻译：

离子的英语翻译：

ion
【化】 ion
【医】 ion

注入的英语翻译：

infuse; inject; afflux; breathe into; fall into; pour into
【计】 implanted
【化】 injection; pour into
【医】 abouchement; Inf.; influx; infunde; infusion
【经】 injection

专业解析

离子注入（Ion Implantation）是一种通过高能离子束将特定原子注入材料表层的半导体制造工艺。该技术通过精确控制离子能量、剂量和角度，改变材料的电学或物理特性。以下是其核心要点：

1. 物理原理

在真空中，离子源产生的带电原子（如硼、磷）被加速至50-500 keV能量，轰击目标材料（如硅晶圆）。离子穿透晶体结构后停留在特定深度，形成掺杂区域。后续退火工艺可修复晶格损伤并激活掺杂原子。

2. 关键技术参数

剂量范围：10¹¹-10¹⁶ ions/cm²
深度分布：遵循LSS理论公式
$$ R_p = frac{0.7E^{1.7}}{N} $$ 其中$R_p$为投影射程，$E$为离子能量，$N$为材料原子密度。

3. 应用领域

主要应用于半导体器件制造，包括：

CMOS晶体管的源/漏极掺杂
DRAM存储单元阈值电压调整
太阳能电池PN结形成

4. 技术优势

相较于扩散工艺，离子注入具备：

亚微米级掺杂区域控制
掺杂浓度梯度可调
低温加工特性（<400℃）

5. 行业标准参考

美国半导体协会（SEMI）的F42标准详细规定了离子注入设备验收规范，包括束流均匀性（±1.5%）和剂量重复性（±0.8%）等技术指标。

网络扩展解释

离子注入是一种材料表面改性技术，通过将高能离子束射入固体材料，改变其物理、化学或电学性质。以下是详细解释：

1.定义与基本现象

离子注入指在真空环境中，高能离子束轰击固体材料表面后，离子受材料抵抗逐渐减速并最终停留在材料内部的现象。此过程与离子散射（反弹）和溅射（材料原子被撞出）不同，核心在于离子的嵌入。

2.原理

能量与相互作用：离子束（通常能量约100keV）与材料原子碰撞，导致晶格缺陷和化学组成变化。离子能量逐渐损失，最终停留在材料内部一定深度，形成高斯分布的杂质浓度。
低温工艺：注入过程在低温下完成，避免材料原有杂质扩散，后续需退火处理以修复晶格缺陷。

3.核心应用领域

半导体制造：精确控制掺杂（如硅片中掺入磷、硼），优化器件电学性能。
表面处理：改善金属材料硬度、耐磨性及抗腐蚀性。
生物医学：用于医疗器械表面改性，增强生物相容性。

4.技术优势

高精度控制：可调控杂质剂量、分布及均匀性，提升器件性能一致性。
低温与自对准：减少热效应，适用于复杂结构加工。

5.剂量计算

注入剂量公式为：
$$
phi = frac{I cdot t}{q}
$$
其中，$phi$为剂量（单位面积离子数），$I$为束流，$t$为时间，$q$为离子电荷量。

如需进一步了解具体工艺参数或行业案例，可参考半导体制造及材料科学领域的专业文献。