gridistor是什么意思，gridistor的意思翻译、用法、同义词、例句

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专业解析

Gridistor（栅控晶体管）是一种特殊结构的结型场效应晶体管，由贝尔实验室的Heinrich Statz等人于1957年发明并命名。其名称来源于“Grid”（栅极）和（Trans）istor（晶体管）的组合，形象地反映了其核心特征——利用嵌入半导体内部的栅极结构来控制电流。

以下是其关键特性的详细解释：

1. 核心结构与工作原理：

   • Gridistor在半导体材料（通常是硅）内部蚀刻出纵向的沟槽，并在沟槽内填充金属或多晶硅形成栅极。这个栅极结构通常呈叉指状，深入半导体衬底。
   • 栅极与半导体之间形成PN结（在沟槽侧壁）。通过改变加在栅极上的反向偏置电压（V_GS），可以调节栅极下方导电沟道（位于源极和漏极之间）的宽度。
   • 当栅极电压增大（反向偏压增大）时，PN结耗尽区变宽，挤压导电沟道，导致源漏极之间的电流（I_D）减小，直至沟道完全夹断。反之，减小栅极反向偏压则允许更大的漏极电流流过。这是一种电压控制电流的器件。

2. 设计特点与优势（相较于早期JFET）：

   • 垂直沟道结构：其电流流动方向（源极到漏极）与半导体表面垂直，而不是像平面JFET那样平行于表面。这种结构允许更高的电流密度。
   • 嵌入式栅极：深入半导体的栅极结构提供了对沟道更有效的控制能力。
   • 降低米勒电容：垂直结构和嵌入式栅极有助于减少栅极和漏极之间的反馈电容（米勒电容C_gd），这对于高频应用是一个关键优势，因为它限制了开关速度和频率响应。
   • 潜在的高频性能：得益于较低的电容和较高的跨导（g_m，表示栅极电压对漏极电流的控制能力），Gridistor在发明时被认为具有应用于高频领域的潜力。

3. 历史地位与现代应用：

   • Gridistor代表了结型场效应晶体管发展史上的一个重要里程碑，是早期尝试优化JFET性能（特别是高频性能）的一种创新结构。
   • 然而，随着半导体技术的飞速发展，特别是金属-氧化物-半导体场效应晶体管技术的成熟和垂直沟道功率MOSFET（如VMOS、TMOS、UMOS）的出现，Gridistor在主流应用中逐渐被取代。这些后续技术提供了更优越的性能、更简单的制造工艺和更好的可扩展性。
   • 因此，Gridistor主要具有历史意义，是现代功率MOSFET（如沟槽栅MOSFET）概念的重要先驱之一，但在当今的半导体器件设计和生产中已不再是主流技术。

权威参考资料：

1. 原始专利与贝尔实验室工作：该器件的概念和结构首次在贝尔实验室的专利中详细描述。H. Statz, R. A. Pucel, H. A. Haus 等人在1957年IEDM会议和后续论文中报告了他们的工作。查阅美国专利 US2964659A (“Semiconductor devices”) 或相关早期文献可以找到最原始的权威定义和描述。
   • 来源： Bell System Technical Journal, IEEE Early Access documents, USPTO Patent Database. 例如：美国专利 US2964659A
2. 半导体器件经典教科书：许多经典的半导体器件物理书籍在介绍JFET发展史或特殊结构时会提及Gridistor。
   • 来源： S. M. Sze, “Physics of Semiconductor Devices” (早期版本)； D. A. Neamen, “Semiconductor Physics and Devices”； 或 Ben G. Streetman, Sanjay Banerjee, “Solid State Electronic Devices”.
3. IEEE历史文献：IEEE期刊和会议录保存了大量早期半导体器件研究的论文，其中包含对Gridistor性能、制造和应用的详细分析。
   • 来源： IEEE Xplore Digital Library. 例如：H. Statz et al., “A Study of the Gridistor—A Novel Field-Effect Device,” IRE Transactions on Electron Devices, vol. 7, no. 4, pp. 271-272, Oct. 1960. DOI: 10.1109/T-ED.1960.14696

网络扩展资料

"gridistor"是一个电子工程领域的专业术语，具体解释如下：

1.基本定义

• 中文翻译：隐栅场效应晶体管（或译作隐栅场效应管）。它是晶体管的一种特殊类型，结合了场效应晶体管（FET）的栅极控制特性与独特的隐栅结构设计。

2.技术特点

• 结构特性：名称中的“grid”（栅极）指代其控制电流的电极部分，而“隐栅”可能表示其栅极结构在物理布局或电场分布上有特殊设计，可能与常规场效应管不同。
• 双极型变体：存在“bipolar gridistor”（双极隐栅场效应管）的衍生类型，可能结合了双极晶体管（BJT）和场效应管的特性。

3.应用场景

• 通常用于需要高频、高功率或低噪声的电子电路中，例如射频放大器、电源管理模块等。

4.补充说明

• 该术语在中文文献中较为罕见，更多见于早期技术文档或特定领域的专业资料。若需深入技术参数或电路设计案例，建议查阅电子工程类专著或行业标准文件。

如果需要进一步了解相关术语（如场效应晶体管原理），可提供补充说明。

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