gridistor是什麼意思，gridistor的意思翻譯、用法、同義詞、例句

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Gridistor（栅控晶體管）是一種特殊結構的結型場效應晶體管，由貝爾實驗室的Heinrich Statz等人于1957年發明并命名。其名稱來源于“Grid”（栅極）和（Trans）istor（晶體管）的組合，形象地反映了其核心特征——利用嵌入半導體内部的栅極結構來控制電流。

以下是其關鍵特性的詳細解釋：

1. 核心結構與工作原理：

   • Gridistor在半導體材料（通常是矽）内部蝕刻出縱向的溝槽，并在溝槽内填充金屬或多晶矽形成栅極。這個栅極結構通常呈叉指狀，深入半導體襯底。
   • 栅極與半導體之間形成PN結（在溝槽側壁）。通過改變加在栅極上的反向偏置電壓（V_GS），可以調節栅極下方導電溝道（位于源極和漏極之間）的寬度。
   • 當栅極電壓增大（反向偏壓增大）時，PN結耗盡區變寬，擠壓導電溝道，導緻源漏極之間的電流（I_D）減小，直至溝道完全夾斷。反之，減小栅極反向偏壓則允許更大的漏極電流流過。這是一種電壓控制電流的器件。

2. 設計特點與優勢（相較于早期JFET）：

   • 垂直溝道結構：其電流流動方向（源極到漏極）與半導體表面垂直，而不是像平面JFET那樣平行于表面。這種結構允許更高的電流密度。
   • 嵌入式栅極：深入半導體的栅極結構提供了對溝道更有效的控制能力。
   • 降低米勒電容：垂直結構和嵌入式栅極有助于減少栅極和漏極之間的反饋電容（米勒電容C_gd），這對于高頻應用是一個關鍵優勢，因為它限制了開關速度和頻率響應。
   • 潛在的高頻性能：得益于較低的電容和較高的跨導（g_m，表示栅極電壓對漏極電流的控制能力），Gridistor在發明時被認為具有應用于高頻領域的潛力。

3. 曆史地位與現代應用：

   • Gridistor代表了結型場效應晶體管發展史上的一個重要裡程碑，是早期嘗試優化JFET性能（特别是高頻性能）的一種創新結構。
   • 然而，隨着半導體技術的飛速發展，特别是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管技術的成熟和垂直溝道功率MOSFET（如VMOS、TMOS、UMOS）的出現，Gridistor在主流應用中逐漸被取代。這些後續技術提供了更優越的性能、更簡單的制造工藝和更好的可擴展性。
   • 因此，Gridistor主要具有曆史意義，是現代功率MOSFET（如溝槽栅MOSFET）概念的重要先驅之一，但在當今的半導體器件設計和生産中已不再是主流技術。

權威參考資料：

1. 原始專利與貝爾實驗室工作：該器件的概念和結構首次在貝爾實驗室的專利中詳細描述。H. Statz, R. A. Pucel, H. A. Haus 等人在1957年IEDM會議和後續論文中報告了他們的工作。查閱美國專利 US2964659A (“Semiconductor devices”) 或相關早期文獻可以找到最原始的權威定義和描述。
   • 來源： Bell System Technical Journal, IEEE Early Access documents, USPTO Patent Database. 例如：美國專利 US2964659A
2. 半導體器件經典教科書：許多經典的半導體器件物理書籍在介紹JFET發展史或特殊結構時會提及Gridistor。
   • 來源： S. M. Sze, “Physics of Semiconductor Devices” (早期版本)； D. A. Neamen, “Semiconductor Physics and Devices”； 或 Ben G. Streetman, Sanjay Banerjee, “Solid State Electronic Devices”.
3. IEEE曆史文獻：IEEE期刊和會議錄保存了大量早期半導體器件研究的論文，其中包含對Gridistor性能、制造和應用的詳細分析。
   • 來源： IEEE Xplore Digital Library. 例如：H. Statz et al., “A Study of the Gridistor—A Novel Field-Effect Device,” IRE Transactions on Electron Devices, vol. 7, no. 4, pp. 271-272, Oct. 1960. DOI: 10.1109/T-ED.1960.14696

網絡擴展資料

"gridistor"是一個電子工程領域的專業術語，具體解釋如下：

1.基本定義

• 中文翻譯：隱栅場效應晶體管（或譯作隱栅場效應管）。它是晶體管的一種特殊類型，結合了場效應晶體管（FET）的栅極控制特性與獨特的隱栅結構設計。

2.技術特點

• 結構特性：名稱中的“grid”（栅極）指代其控制電流的電極部分，而“隱栅”可能表示其栅極結構在物理布局或電場分布上有特殊設計，可能與常規場效應管不同。
• 雙極型變體：存在“bipolar gridistor”（雙極隱栅場效應管）的衍生類型，可能結合了雙極晶體管（BJT）和場效應管的特性。

3.應用場景

• 通常用于需要高頻、高功率或低噪聲的電子電路中，例如射頻放大器、電源管理模塊等。

4.補充說明

• 該術語在中文文獻中較為罕見，更多見于早期技術文檔或特定領域的專業資料。若需深入技術參數或電路設計案例，建議查閱電子工程類專著或行業标準文件。

如果需要進一步了解相關術語（如場效應晶體管原理），可提供補充說明。

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