磁控濺射英文解釋翻譯、磁控濺射的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 megnetron sputtering

分詞翻譯：

磁的英語翻譯：

magnetism

控的英語翻譯：

accuse; charge; control

濺射的英語翻譯：

【計】 sputtering
【化】 sputtering

專業解析

磁控濺射（Magnetron Sputtering）是一種基于等離子體物理的薄膜沉積技術，屬于物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition, PVD）的範疇。該技術通過施加磁場與電場的協同作用，将靶材（Target Material）表面的原子或分子以高能粒子形式濺射到基片表面，形成均勻緻密的薄膜層。

技術原理

在真空環境下，氩氣被電離形成等離子體。磁場通過磁控裝置約束電子運動軌迹，增強氣體電離效率并降低工作氣壓（通常為10⁻³–10⁻¹ Pa範圍）。靶材表面受高能離子轟擊後發生濺射現象，釋放的粒子在基片表面沉積成膜。其核心公式可表示為濺射産額（S）：

S = frac{text{濺射粒子數}}{text{入射離子數}}

該數值與離子能量、靶材原子質量等因素相關。

應用領域

半導體制造：用于沉積金屬互連層（如銅、鋁）及絕緣層（SiO₂、Si₃N₄）
光學鍍膜：制備增透膜、反射鏡塗層（引用來源：美國光學學會官網optics.org）
新能源器件：锂離子電池電極塗層、光伏薄膜電池（引用來源：美國能源部技術報告energy.gov）

技術優勢

相較于傳統濺射技術，磁控濺射具有沉積速率高（可達1-10 μm/h）、基片溫升低（<200℃）、膜層附着力強等特點。美國真空學會（AVS）将其列為21世紀表面工程關鍵技術之一（引用來源：AVS官網avs.org）。

漢英術語對照

磁控濺射：Magnetron Sputtering
靶材：Target Material
等離子體：Plasma
物理氣相沉積：Physical Vapor Deposition
濺射産額：Sputtering Yield
（術語标準參考：國家标準GB/T 20724-2021《表面工程術語》）

網絡擴展解釋

磁控濺射是一種物理氣相沉積（PVD）技術，通過磁場約束電子運動以提高濺射效率，廣泛應用于薄膜制備領域。以下是其核心要點：

一、定義與基本原理

磁控濺射通過在靶材表面施加磁場，延長電子運動軌迹，增加氩氣電離率，從而提升靶材原子的濺射效率。其過程包括：

氣體電離：高電壓下氩氣電離為Ar⁺和電子，Ar⁺轟擊靶材表面，使靶材原子脫離。
磁場作用：磁場使電子沿螺旋軌迹運動（E×B漂移），增加與氩原子的碰撞概率，形成高密度等離子體。
薄膜沉積：濺射出的中性靶材原子沉積在基片表面形成均勻薄膜。

二、技術特點

低溫高效：電子能量被磁場束縛，基片溫升低，適合熱敏感材料。
成膜質量高：薄膜均勻性好，成分接近靶材，附着力強。
廣泛適用性：可沉積金屬、半導體、絕緣體等多種材料。

三、典型應用

電子器件：半導體元件、磁盤驅動器的導電或絕緣薄膜。
光學鍍膜：鏡片、窗膜的高反射或高透光塗層。
功能材料：耐磨塗層（如工具表面）、裝飾性鍍層（如手機外殼）。

四、技術發展

20世紀70年代，磁控濺射在傳統濺射基礎上改進，通過環形磁場設計實現高速沉積，成為主流PVD技術之一。

如需進一步了解工藝參數或問題解決方案（如薄膜灰暗、不均勻等），可參考權威文獻或專業設備手冊。