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結構因數英文解釋翻譯、結構因數的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【電】 structure factor

分詞翻譯:

結構的英語翻譯:

frame; structure; composition; configuration; construction; fabric; mechanism
【計】 frame work
【醫】 constitution; formatio; formation; installation; structure; tcxture

因數的英語翻譯:

factor
【電】 factor

專業解析

結構因數是晶體學與材料科學中的核心概念,指用于定量描述晶體中原子排列對X射線或電子衍射強度影響的物理量,英文對應為Structure Factor(S)。其數學表達式為: $$ S(hkl) = sum_{j=1}^{N} f_j cdot e^{2pi i (hx_j + ky_j + lz_j)} $$ 其中:

核心特性與作用

  1. 物理意義:結構因數反映了晶胞内所有原子對特定衍射方向(( hkl ))的散射波合成振幅,其模長平方(( |S| ))直接關聯實驗測量的衍射強度。
  2. 對稱性約束:在空間群對稱操作下,某些( hkl )的結構因數會因對稱性抵消而為零,例如在體心立方晶體中,( h+k+l )為奇數時( S=0 )(消光規律)。
  3. 應用領域:通過逆向計算結構因數,可解析未知材料的原子排布,廣泛應用于金屬、半導體、蛋白質晶體的結構測定。

權威參考資料

網絡擴展解釋

“結構因數”是一個多學科交叉的術語,在不同領域有特定含義,需結合具體語境理解:

1.材料科學/聲學領域()

指描述多孔材料内部微觀結構(如孔隙形狀、方向、分布等)對聲學特性影響的無因次修正參數。例如,在吸聲材料理論中,假設孔隙為規則排列的毛細管模型,但實際材料結構複雜,需引入結構因數修正理論與實際的偏差,其數值範圍通常在2-10之間,極端情況下可達20-25。

2.晶體學/物理學領域()

在X射線衍射中,結構因數(符號$F{HKL}$)用于表征晶體單胞内原子種類、數量及位置對特定晶面(HKL)衍射強度的綜合影響。其定義為晶胞總散射振幅與單個電子散射振幅的比值,數學表達式為: $$ F{HKL} = sum_j f_j e^{2pi i (hx_j + ky_j + lz_j)} $$ 其中$f_j$為原子散射因子,$(x_j,y_j,z_j)$為原子坐标。該參數僅與原子種類和位置相關,與晶胞尺寸無關。

補充說明

建議在實際應用中結合具體學科文獻進一步确認定義。

分類

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