場調晶體管英文解釋翻譯、場調晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 technetron

分詞翻譯：

場的英語翻譯：

field; a level open space; scene
【化】 field
【醫】 field; plant

調的英語翻譯：

melody; mix; move; suit well; transfer
【計】 debugging mode

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

場調晶體管（Field-Effect Transistor，FET）是一種利用電場效應來控制電流流動的半導體器件，是現代電子電路中的核心元件之一。其名稱中的“場調”即指通過施加在栅極上的電壓産生的電場來調控源極和漏極之間的溝道電導率，從而實現電流的開關或放大功能。

一、核心概念與工作原理

結構基礎
場調晶體管通常包含三個電極：源極（Source）、漏極（Drain）和栅極（Gate）。栅極與溝道之間通過絕緣層（如二氧化矽）隔離，形成金屬-氧化物-半導體（MOS）結構。當栅極施加電壓時，電場會改變溝道内載流子濃度，進而控制源漏電流。
工作模式
根據溝道類型可分為N溝道和P溝道FET。以N溝道增強型MOSFET為例：
- 零栅壓時，源漏間無導電溝道，器件截止；
- 當栅壓超過阈值電壓（$V_{th}$）時，溝道形成，電流隨栅壓增大而升高。
  電流公式可簡化為：
  
  $$ I_D = mun C{ox} frac{W}{L} left( (V{GS} - V{th})V{DS} - frac{1}{2}V{DS} right) $$
  
  其中$mun$為電子遷移率，$C{ox}$為單位面積栅氧電容。

二、關鍵特性與分類

輸入阻抗
因栅極絕緣，FET具有極高的輸入阻抗（通常>102 Ω），幾乎不汲取輸入電流，適用于高精度傳感電路。
主要類型
- MOSFET：主流類型，按溝道形成方式分增強型/耗盡型；
- JFET：通過PN結栅極調控溝道，無絕緣層；
- HEMT：基于異質結的高電子遷移率晶體管，用于高頻應用。

三、典型應用場景

集成電路
作為CMOS邏輯門的基本單元，支撐微處理器和存儲器設計。

功率轉換
高壓MOSFET用于電源管理，效率可達95%以上。

射頻放大
GaN HEMT器件在5G基站中提供毫米波信號放大。

參考資料

IEEE Xplore Digital Library. Field-Effect Transistor Fundamentals.
Oxford Dictionary of Electronics. 7th ed., 2023.
Compound Semiconductor Magazine. HEMT Technology Review.
Power Electronics News. MOSFETs in Switching Power Supplies.

網絡擴展解釋

“場調晶體管”可能為“場效應晶體管”的表述誤差，正确的術語應為場效應晶體管（Field Effect Transistor, FET）。以下是詳細解釋：

1.基本定義

場效應晶體管是一種電壓控制型半導體器件，通過電場效應調節導電溝道的電流。與普通晶體管（雙極型晶體管）不同，它無需輸入電流即可工作，具有高輸入阻抗和低噪聲特性。

2.主要分類

結型場效應管（JFET）：通過反向偏置的PN結控制電流。
絕緣栅型場效應管（MOSFET）：利用金屬-氧化物-半導體結構，通過栅極電壓控制導電溝道，廣泛應用于集成電路。

3.工作原理

在栅極施加電壓時，半導體材料中的載流子（電子或空穴）被吸引或排斥，從而改變導電溝道的寬度，實現電流的調控。例如，MOSFET的栅極與溝道之間通過絕緣層隔離，電壓變化直接影響溝道導通狀态。

4.與雙極型晶體管的區别

控制方式：場效應管為電壓控制，普通晶體管為電流控制。
輸入阻抗：場效應管輸入阻抗更高，適合高靈敏度電路（如放大器輸入級）。

5.應用場景

主要用于放大、開關和阻抗匹配電路，尤其適用于低功耗、高頻場景（如手機射頻模塊、電源管理芯片）。

若需進一步了解具體型號或測試方案，可參考詳細技術說明。