场调晶体管英文解释翻译、场调晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 technetron

分词翻译：

场的英语翻译：

field; a level open space; scene
【化】 field
【医】 field; plant

调的英语翻译：

melody; mix; move; suit well; transfer
【计】 debugging mode

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

场调晶体管（Field-Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应来控制电流流动的半导体器件，是现代电子电路中的核心元件之一。其名称中的“场调”即指通过施加在栅极上的电压产生的电场来调控源极和漏极之间的沟道电导率，从而实现电流的开关或放大功能。

一、核心概念与工作原理

结构基础
场调晶体管通常包含三个电极：源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate）。栅极与沟道之间通过绝缘层（如二氧化硅）隔离，形成金属-氧化物-半导体（MOS）结构。当栅极施加电压时，电场会改变沟道内载流子浓度，进而控制源漏电流。
工作模式
根据沟道类型可分为N沟道和P沟道FET。以N沟道增强型MOSFET为例：
- 零栅压时，源漏间无导电沟道，器件截止；
- 当栅压超过阈值电压（$V_{th}$）时，沟道形成，电流随栅压增大而升高。
  电流公式可简化为：
  
  $$ I_D = mun C{ox} frac{W}{L} left( (V{GS} - V{th})V{DS} - frac{1}{2}V{DS} right) $$
  
  其中$mun$为电子迁移率，$C{ox}$为单位面积栅氧电容。

二、关键特性与分类

输入阻抗
因栅极绝缘，FET具有极高的输入阻抗（通常>102 Ω），几乎不汲取输入电流，适用于高精度传感电路。
主要类型
- MOSFET：主流类型，按沟道形成方式分增强型/耗尽型；
- JFET：通过PN结栅极调控沟道，无绝缘层；
- HEMT：基于异质结的高电子迁移率晶体管，用于高频应用。

三、典型应用场景

集成电路
作为CMOS逻辑门的基本单元，支撑微处理器和存储器设计。

功率转换
高压MOSFET用于电源管理，效率可达95%以上。

射频放大
GaN HEMT器件在5G基站中提供毫米波信号放大。

参考资料

IEEE Xplore Digital Library. Field-Effect Transistor Fundamentals.
Oxford Dictionary of Electronics. 7th ed., 2023.
Compound Semiconductor Magazine. HEMT Technology Review.
Power Electronics News. MOSFETs in Switching Power Supplies.

网络扩展解释

“场调晶体管”可能为“场效应晶体管”的表述误差，正确的术语应为场效应晶体管（Field Effect Transistor, FET）。以下是详细解释：

1.基本定义

场效应晶体管是一种电压控制型半导体器件，通过电场效应调节导电沟道的电流。与普通晶体管（双极型晶体管）不同，它无需输入电流即可工作，具有高输入阻抗和低噪声特性。

2.主要分类

结型场效应管（JFET）：通过反向偏置的PN结控制电流。
绝缘栅型场效应管（MOSFET）：利用金属-氧化物-半导体结构，通过栅极电压控制导电沟道，广泛应用于集成电路。

3.工作原理

在栅极施加电压时，半导体材料中的载流子（电子或空穴）被吸引或排斥，从而改变导电沟道的宽度，实现电流的调控。例如，MOSFET的栅极与沟道之间通过绝缘层隔离，电压变化直接影响沟道导通状态。

4.与双极型晶体管的区别

控制方式：场效应管为电压控制，普通晶体管为电流控制。
输入阻抗：场效应管输入阻抗更高，适合高灵敏度电路（如放大器输入级）。

5.应用场景

主要用于放大、开关和阻抗匹配电路，尤其适用于低功耗、高频场景（如手机射频模块、电源管理芯片）。

若需进一步了解具体型号或测试方案，可参考详细技术说明。