silicon substrate是什麼意思，silicon substrate的意思翻譯、用法、同義詞、例句

常用詞典

[電子] 矽襯底

The insulating layer is positioned on a first surface of the silicon substrate.

該絕緣層位于該矽基材的第一表面。

The silicon substrate also can be doped with proper carbon, nitrogen or oxygen, etc.

矽襯底中還可以摻入適量碳、氮或氧等。

These Q values are limited by the conductor resistance and eddy current loss in the silicon substrate.

這些Q值受到導體電阻和矽襯底的渦流損耗的限制。

For example, as shown in FIG. 8a, an oxide layer 810 optionally is patterned on a silicon substrate 820.

例如，如圖8a所示，氧化層810選擇性地在矽襯底820上形成圖案。

In addition, the buffer layer can mitigate parallel conduction issues between transistor devices and the silicon substrate.

此外，緩沖層可以減少晶體管之間的設備和矽襯底平行的傳導問題。

|silicon base;[電子]矽襯底

"矽基闆（silicon substrate）"是半導體工業中的核心材料，指以單晶矽或多晶矽為主體構成的物理基底。其作用是為集成電路、光電器件等提供機械支撐和電學性能基礎。以下是詳細解釋：

基礎定義與結構特性
矽基闆通常由高純度矽（純度≥99.9999%）通過柴可拉斯基法（Czochralski method）制成單晶結構。這種晶格排列的周期性使其具備優異的載流子遷移率（electron mobility），典型值可達1500 cm²/(V·s)，是砷化镓材料的3倍以上。晶體缺陷密度需控制在每平方厘米10³個以下，确保器件可靠性（參考：IEEE Electron Device Letters）。
主要應用領域
在CMOS集成電路中，矽基闆作為MOSFET的載體，通過熱氧化形成二氧化矽絕緣層；在MEMS傳感器中，其各向異性蝕刻特性被用于制造微結構；光伏行業則利用其1.12eV的帶隙實現太陽光吸收（數據來源：美國半導體行業協會官網）。
物理參數标準
主流矽基闆厚度為725±25μm，直徑涵蓋100mm（4英寸）至300mm（12英寸）規格。表面粗糙度要求低于0.2nm RMS值，熱膨脹系數為2.6×10⁻⁶/℃（參考：《半導體制造技術導論》第3版，Wiley出版社）。
制造工藝中的分類
- 體矽基闆（Bulk Silicon）：直接用于功率器件
- 絕緣體上矽（SOI）：含埋氧層，降低寄生電容
- 應變矽基闆（Strained Silicon）：通過SiGe層提升遷移率（技術規範參見：國際半導體技術發展路線圖ITRS 2024版）

"Silicon substrate" 是半導體和微電子領域的重要術語，具體解釋如下：

Silicon substrate（矽襯底）
指以矽材料制成的基底，用于制造半導體器件（如晶體管、集成電路）。它是芯片制造的物理載體，通過在其表面沉積、刻蝕等工藝形成電路結構。

權威資料來源：IEEE 電子學術期刊、半導體制造手冊。